应变Si沟道NMOSFET阈值电压特性研究

张志锋; 张鹤鸣; 胡辉勇; 宣荣喜; 宋建军

首页> 中文期刊> 《半导体技术》 >应变Si沟道NMOSFET阈值电压特性研究

应变Si沟道NMOSFET阈值电压特性研究

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

在研究分析弛豫SiGe衬底上的应变Si沟道NMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si NMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压、阈值电压偏移量与Si Ge层中Ge组分的关系。分析结果表明,阈值电压随SiGe层中Ge组分的提高而降低。该模型为应变Si器件阈值电压设计提供了重要参考。

著录项

来源
《半导体技术》 |2008年第s1期|250-251|共3页
作者
张志锋; 张鹤鸣; 胡辉勇; 宣荣喜; 宋建军;
展开▼
作者单位

西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
应变硅; 阈值电压; 反型层; 弛豫衬底;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 应变Si沟道nMOSFET阈值电压模型 [J] . 张志锋 ,张鹤鸣 ,胡辉勇 . 物理学报 . 2009,第007期
2. 应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型 [J] . 周春宇 ,张鹤鸣 ,胡辉勇 . 物理学报 . 2013,第007期
3. 亚100nm应变Si／SiGe nMOSFET阈值电压二维解析模型 [J] . 王冠宇 ,张鹤鸣 ,王晓艳 . 物理学报 . 2011,第007期
4. 小尺寸应变Si/SiGe PMOSFET阈值电压及其电流电压特性的研究 [J] . 屈江涛 ,张鹤鸣 ,胡辉勇 . 电子科技大学学报 . 2012,第002期
5. 单轴应变Si纳米NMOSFET电特性优化 [J] . 廖晨光 ,郝敏如 . 电子科技 . 2018,第007期
6. 应变Si沟道nMOSFET阈值电压特性研究 [C] . 张志锋 ,张鹤鸣 ,胡辉勇 . 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 . 2008
7. 单轴应变Si nMOS反型层量子化特性与阈值电压研究 [A] . 曹媛媛 . 2012

应变Si沟道NMOSFET阈值电压特性研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅