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离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用

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本文介绍了离了注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10-6Ω·cm2[1]；同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B+离子注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子说明了离子注入在SiC器件制造过程中所起的重要性。

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来源
《第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2008年|925-928|共4页
会议地点广州
作者
李春; 陈刚;
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作者单位

中国电子学会;

广州市科协;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.24;TN311.7;
关键词
离子注入; 4H碳化硅器件; 欧姆接触; 肖特基势垒二极管; 隔离技术;

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