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新型4H-SiC射频功率MESFET大信号经验电容模型

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本文基于4H-SiC射频功率MESFET器件的工作机理，提出了一种新型的大信号经验电容模型。针对此模型参数的提取采用最小二乘法和遗传算法，算法用MATLAB语言实现，与传统算法相比，经验电容模型参数的初值估计和优化更为简单准确。提取的模型重要参数具有一定的物理意义，其他拟合参数值也具有物理量级。模型仿真结果和实测数据拟合度较好，从而验证了所提出的大信号经验电容模型的准确性。

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来源
《2010年全国军事微波会议》|2010年|424-426|共3页
会议地点哈尔滨
作者
刘莹; 国云川; 黄文;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类场效应器件;设计与计算;
关键词
4H-碳化硅; 金属半导体场效应晶体管; 大信号模型; 经验电容模型; 遗传算法;

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