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一种氮化镓高电子迁移率晶体管的经验性电容模型在高漏源电压条件下的简化方法及其应用

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摘要

本发明公开了一种适用于氮化镓高电子迁移率晶体管的经验性电容模型在高漏源电压下的简化方法，该方法包括：基于一系列物理分析，将栅源电容

1. 一种氮化镓高电子迁移率晶体管的经验性电容模型在高漏源电压条件下的简化方法及其应用 [P] . 中国专利： CN111144059A . 2020-05-12
2. 一种高击穿电压氮化镓基高电子迁移率晶体管 [P] . 中国专利： CN105261643A . 2016-01-20
3. Gallium nitride high electron mobility transistor with high Blake down voltage and its forming method [P] . JP6882503B2 . 2021-06-02

机译：氮化镓高电子迁移率晶体管，具有高推动压电压及其成形方法
4. Gallium nitride high electron mobility transistor having high breakdown voltage and formation method therefor [P] . US11158702B2 . 2021-10-26

机译：氮化镓高电子迁移率晶体管，其具有高击穿电压和地层方法
5. GALLIUM NITRIDE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR HAVING HIGH BREAKDOWN VOLTAGE AND FORMATION METHOD THEREFOR [P] . 欧洲知识产权局专利： EP3591708A1 . 2020-01-08

机译：具有高击穿电压的氮化镓高电子迁移率晶体管及其形成方法