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针对高压器件的SCR静电保护器件

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在静电保护器件中，SCR结构由于其较强的耐压能力和较低的导通电阻被用于有效保护输入输出节点和内部电路。由于SCR的触发是由pn结雪崩击穿引起的，故触发电压可通过调节掺杂区浓度而改变，对于一定工艺流程，—般采用改进结构的方法有效调节触发电压。但SCR的导通后，形成正反馈，其低导通电阻使维持电压较难调节。通过在SCR内部加入特殊MOS结构，改变内部电阻的方式调节维持电压，在使用中无需加入额外的工艺步骤，达到较好的改进效果。

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来源
《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》|2007年|713-715|共3页
会议地点重庆
作者
谢姝; 郑国祥; 龚大卫;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN47:TN403;
关键词
大规模集成电路; SCR结构; 静电保护; 参数优化;

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