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非等间距线圈对碳化硅外延生长感应加热系统的影晌

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摘要

采用有限元分析模拟软件，研究了在水平热壁化学汽相淀积设备反应腔中非等间距的加热线圈对碳化硅外延生长温度分布的影响。模拟结果表明：在电源的输出功率和频率都不变的情况下，通过缩小反应腔部分加热线圈的间距，可以有效地减小气流对基座温度分布的影响，在尽可能大的范围内得到均匀的温度分布。

著录项

来源
《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》|2007年|591-594|共4页
会议地点重庆
作者
曹卿; 张玉明; 张义门; 王悦湖; 贾仁需; 贾威;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.24:TN304.054.4;
关键词
碳化硅材料; 外延生长; 温度分布; 有限元模拟;

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