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不同负载功率下VDMOS管X射线的辐射效应研究

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利用X射线对在不同负载条件下的VDMOS进行了辐射试验，观察到VDMOS不同的辐射行为，在较大的负载情况下，VDMOS阈值电压漂移发生了“回弹”(rebound)，比无辐射情况下更大，表明VDMOS在大功率负载情况下发生了辐射退火效应，辐射损伤在大功率负载条件下得到了部分修复。及时退火效应导致阈值电压漂移的回弹主要因素，可以认为是VDMOS弱反型界面态电荷的退火引起，等效电荷量为-2.3×1011/cm2。从跨导来看，受到辐射的样品均表观出界面态Qit的增加。

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来源
《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》|2007年|731-735|共5页
会议地点重庆
作者
何开全; 谭开洲; 杨永晖; 李泽宏; 刘勇;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类晶体管：按材料分;
关键词
VDMOS器件; 电磁辐射; 性能测试; 数值分析;

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