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铁磁金属-半导体接触的自旋极化电子直接隧穿模型

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摘要

利用精确求解一维定态薛定谔方程，得到自旋极化电子通过三角形势垒的隧穿几率，对自旋极化电子从铁磁金属通过肖特基势垒注入半导体时的自旋极化电流与表面层掺杂浓度以及所加偏压的关系等做了计算。计算表明，通过提高表面层掺杂浓度，可以有效地增大自旋极化电流的注入。这一结果对提高自旋极化电流的注入和设计半导体自旋电子器件具有重要意义。

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来源
《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》|2007年|780-784|共5页
会议地点重庆
作者
徐大庆; 张义门; 张玉明; 汤晓燕; 吕红亮; 王超;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN321.1;
关键词
自旋电子器件; 肖特基接触; 复合材料; 电子效应;

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