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阳极氧化电流密度和时间对多孔硅形貌和电子发射特性的影响

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通过电化学阳极氧化，快速热氧化和磁控溅射制备出了具有金属/多孔硅/硅基底/金属结构的多孔硅电子发射体。运用扫描电子显微镜观察了多孔硅层的微观形貌。结果表明多孔硅的孔径随着电化学阳极氧化电流密度的增加而增加，多孔硅层的厚度随着通过单位面积的电化学阳极氧化电荷量的增加而增加。在真空系统中测量了多孔硅的电子发射特性。在正向直流偏压条件下，从基底注入的电子在多孔硅层中被加速，并隧穿通过Au膜发射到真空中。电子发射的闭值电压Vth随着通过单位面积的电化学阳极氧化电荷量的增加而增加。最大的发射效率η是7.5‰，此效率出现在电化学阳极氧化电流密度为30 mA/cm2、时间为5分钟制备的样品中，对应的器件电压Vps为30V。

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来源
《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》|2011年|807-810|共4页
会议地点张家界
作者
张玉娟; 张小宁; 王文江; 刘纯亮;
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作者单位

中国电子学会真空电子学分会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12;
关键词
多孔硅电子发射体; 微观形貌; 电子发射特性; 性能表征;

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