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中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会

召开年：2011
召开地：张家界
出版时间： 2011-08

主办单位：;中国电子学会真空电子学分会;;

会议文集：中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会论文集

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1.凝胶注模成型常压烧结异形AlN陶瓷
- 杨艳玲;鲁燕萍;杜斌;杨华猛;刘征
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：介绍了凝胶注模成型技术的起源、基本原理、分类及工艺特点。采用低毒的UPR体系可净尺寸生产出形状复杂的AIN陶瓷，生产成本低，且所成型的陶瓷坯体成分和密度均匀，干燥和烧结过程中不会变形，缺陷少，坯体强度高，可进行机械加工。实验结果证明，固化时间随引发剂浓度的降低而延长，通过控制引发剂的浓度，可以获得理想的AlN坯体。
2.基于多级串联FLTD次级MITL不同结构模拟研究
- 张鹏飞;王志国;邱爱慈;杨海亮;李永东;孙江;王洪广;孙剑锋;苏兆锋;刘鹏;孙凤举
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：本文基于300Ka/100ns快放电直线变压器(FLTD)单模块的设计参数，由层流模型理论设计了不同结构的次级磁绝缘传输线。在此基础上，采用粒子模拟方法研究了次级分别为同轴圆筒、阶梯状和锥状内筒时，10级串联结构传输线末端输出参数的变化。模拟结果表明:采用同轴圆筒结构，匹配负载峰值功率221GW，负载电压最大为1.02MV，峰值电流224kA，电压的上升沿(峰值的10%至峰值90%的时间)为40ns。比较了同轴圆筒、锥状和阶梯状结构的次级磁绝缘传输线，结果表明三种结构输出幅值相近，阶梯状和锥状结构输出脉冲前沿相近，同轴圆筒结构次级输出脉冲前沿相对较缓。
3.离子束溅射无氧铜表面锥形形貌的形成机理分析
- 赵世柯;刘腊梅;徐长有
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：本文研究了Ar离子束溅射的无氧铜表面形貌特征及工艺影响因素，从Mo原子的作用、基底温度及表面晶粒结晶方位等方面对表面形貌的形成机理进行了初步分析和研究。
4.Nano-diamond薄膜场致发射特性及其在传感器的应用
- 王二垒;张秀霞;张丽霞
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：在Nano-diamond粉体中掺入纳米石墨粉体、有机和无机的介质，形成可供丝网印刷的浆料并制作成电子发射薄膜。其中纳米金刚石的天然棱角可作为电子发射微尖，引入石墨可增加金刚石薄膜的导电性，实验研究了Nano-diamond薄膜的烧结工艺和薄膜后处理工艺，测试分析Nano-diamond薄膜场致发射特性，并利用该场致发射特性设计一个压力传感器。
5.碳纳米球薄膜的制备及其场发射特性
- 王静;顾广瑞
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：利用微波等离子体化学气相沉积法，在Si(100)衬底上制备了碳纳米球薄膜。利用拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜研究了薄膜的结构以及表面形貌。场发射测表明，碳纳米球薄膜的场发射闭值电场为3.1v/μm，电场为10V/μm时的发射电流为60.7mA/cm2。通过三区域电场模型合理地分析了薄膜的场发射数据。
6.200GHZ回旋返波管的设计与仿真研究
- 傅文杰;鄢扬;刘盛纲
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：回旋返波管是一种具有调频功能的回旋振荡器件，具有较大的实用前景。本文根据回旋返波管线性理论设计了一只工作频率大于200GHz的回旋返波管，并采用CHIPIC三维粒子模拟软件对其进行仿真研究，分析了其工作特性，得到了工作参数。仿真结果表明所设计的回旋返波管可获得大于IGHZ 的调谐带宽和kw级的功率输出。
7.W波段回旋管氮化铝输出窗的临界热耗散功率
- 韩勇;李秀霞;耿志辉;刘濮鲲
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：利用ANSYS软件研究了回旋管氮化铝输出窗的临界热耗散功率。针对TE01、TE11和TE02 模式的电磁波通过窗片时发生的不同加热模式进行分析，比较了氧化铝窗片和氮化铝窗片的热功率承受能力。研究结果表明，氮化铝窗片能够承受较高的加热功率，适合用于高性能的回旋管。
8.小型化氢钟磁控管谐振腔分析
- 林青华;巩华荣;唐涛;张富鑫;刘铁新
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：本课题以被动氢钟的磁控管谐振腔为研究对象，首先采用电磁理论分析及等效电路方法，研究这种腔体的电磁特性，给出计算谐振频率、品质因数等参量的计算公式。并用仿真软件仿真分析谐振腔的谐振频率、品质因数，通过电磁模拟与理论数值、实验数据做比较，验证计算公式的正确性。
9.内导体偏心同轴腔特性分析
- 刘頔威;袁学松;傅文杰;鄢扬
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：本文详细分析了内导体偏心对同轴腔TE模截止频率、欧姆损耗、欧姆品质因数的影响。分析发现内导体偏心对对称模和非对称模的影响有所不同。对对称模，其截止频率、内、外导体上的欧姆损耗随着内导体偏心距离的增大而减小。对称模的径向指数越大，内导体偏心的影响也越大。对非对称模，截止频率和内导体上的欧姆损耗随偏心距离增大而增大，非对称模的焦散面半径越小，内导体的偏心对其影响越大。由于截止频率和模式间的耦合随着偏心距离的增大而变化，偏心距离对外导体的欧姆损耗和欧姆品质因数的影响则更加复杂。
10.高亮度超短电子束产生Smith-Purcell辐射的三维模拟
- 刘文鑫;王勇;张瑞;刘濮鲲
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：利用光阴极微波电子枪产生的高亮度超短电子束具有电流密度大、发射度小等优点，在基于光栅结构的Smith-Purcell器件的太赫兹辐射源中具有重要应用。本文对高亮度超短电子束Smith-Purcell的辐射特征进行分析，研究了单个电子束团、周期性电子束团重复频率对辐射性能的影响。
11.回旋速调管注波互作用数值模拟研究
- 马俊建;朱小芳;金晓林;胡玉禄;李建清;杨中海;李斌
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：本文应用自行编制的回旋速调管放大器注-波互作用自洽非线性模拟程序，对Ka波段两腔回旋速调管注波互作用进行了数值计算与模拟，分析了工作参数对放大器输出功率、增益和效率的影响。
12.用于回旋行波管的低速度零散磁控注入电子枪研究
- 王晖;李宏福;罗勇;邓学;蒲友雷;徐勇
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：通过对回旋行波管电子光学系统深入系统的理论分析，研究强流电子光学问题的基本方程组和数值求解的理论基础和方法。对旋转对称轴坐标系下的静电场、静磁场物理模型和物理方程、考虑空间电荷效应和相对论效应的电子运动方程和轨迹方程进行了深入分析。采用静态场的有限元和有限差分数值分析方法来求解电子运动方程、轨迹方程、空间电荷密度方程的数学模型。利用数值模拟计算并结合常用的电子光学系统模拟软件EGUN和MAGIC等软件对电子枪进行优化设计，得到满足要求的低速度零散(4％)磁控注入电子枪。
13.30GHz大回旋二次谐波回旋行波管研究与设计
- 王建勋;罗勇
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：为有效抑制回旋行波管设计中最为重要的模式振荡的问题，可以通过改变高频结构如损耗介质加载、螺纹波导等特殊高频结构抑制模式振荡，增加起振电流;此外还可以利用大回旋电子注的选模特性实现模式抑制。本文结合损耗介质加载和大回旋电子注，研究与设计了大回旋的介质加载回旋行波管。设计了低速度离散、低电子波动空间电荷限制流电子枪;通过线性和非线性计算，研究了介质加载对各个模式的起振电流;在理论分析和高频计算的基础上，建立了三维注-波互作用PIC(粒子模拟)模型，进行了粒子模拟计算和优化，得到了30GHz的TEZ模大回旋二次谐波回旋行波放大器设计方案。粒子模拟表明:在工作电压70kV，注电流8A，电子注横向速度与纵向速度比为1.3时，输出功率150kW，绝对带宽1.6GHz，相对带宽5%，电子效率27％，饱和增益大于50dB。
14.基于统计理论的Au与Ag两种材料微放电敏感区域的计算
- 林舒;李永东;曹猛;刘纯亮
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：本文介绍了平行平板结构内一种考虑二次电子能量分布的微放电统计理论。首先推导了电子在射频场作用下的运动轨迹，构建了电子完成双边碰撞的关于渡越时间的概率密度函数，然后通过电子出射相位的稳态假设，给出了稳态积分方程。最后根据Au与Ag两种材料由蒙特卡罗方法获得的二次电子倍增曲线，计算得到相应的敏感区域。
15.高能量气体放电模型CAD设计研究
- 邱珺;方庆华;陈昀;吴勇强;孙晓光;陈洁;屠颜
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：本文介绍了利用国内已有的气体放电CAD设计软件和模型，开发固体激光器泵浦光源气体放电模型CAD设计研究，迅速提高泵浦光源CAD设计水平。
16.热阴极发射特性测量数据处理软件
- 侯建平;高玉娟;陈其略
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：在微波真空电子器件中，阴极的发射能力直接影响器件的性能。为了阴极性性能进行测试，本文简介了一种自行编制的热阴极发射特性测量数据处理软件的设计思想及工程应用。
17.超细基体结构大电流密度含杭扩散阴极研究
- 李娜;高玉娟;朱木易
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：在前期研究的基础上，本文继续研究了具有超细微观基体结构的含抗扩散阴极的性能。采用溶胶凝胶制备阴极的基体粉末，通过适当的压制烧结，得到结构均匀且细小的纯钨基体，浸渍抗酸盐后对阴极进行了发射性能的测试。测试结果显示，在1050°C时，阴极的发射电流密度能够达到100A/cm2。
18.大功率速调管快速启动及可靠性阴极的研究
- 廖显恒;王小霞;赵青兰;孟鸣凤;李云;王欣欣;吕艳杰
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：固态器件的发展及其功率合成技术逐步成熟，不仅有可能取代行波管，对大功率速调管来说也是一个严峻的挑战。本文首先分析了半导体固体器件与真空微波器件的优缺点，提出如能解决大功率速调管的快速启动与可靠性问题，固态器件将无法替代。本文还论述了影响微波器件快速启动与可靠性的主要因素是阴极与管子设计、工艺实现等。最后介绍了新型氧化物阴极的特性及其应用情况，这种阴极可靠性高，在某大功率速调管电子枪中启动时间由13分钟缩短至130秒。该阴极有望在快速启动、高可靠大功率速调管中得到广泛应用。
19.阴极组件中热子的设计与研制
- 门燕
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：本文主要讲述了阴极组件中热子的设计思路，电加热参数的选择，数据的计算及结构形状的设计。介绍了热子制作的主要过程。
20.微波管用热子可靠性分析
- 秦颖
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：本文从热子在微波管中的应用角度，分析了实际使用中热子的失效情况及失效原因，并给出了相应的提高热子可靠性的方法和措施。
21.大电流密度氧化物阴极的研究进展
- 王小霞;廖显恒;张敏;赵青兰;王其富;李云;张琪
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：为了进一步提高氧化物阴极的发射性能，开拓在微波管中的应用范围，本文围绕氧化物阴极的涂层发射材料、贮存活性物质、Ni海绵控制扩散层、阴极涂层制备技术等方面进行研究并取得重要进展。主要包括研究不同配方贮存活性材料对阴极零场逸出功的影响，阴极涂层发射材料的四元及其亚微米纳米化对提高阴极发射性能的贡献，低蒸发率电解-电镀镍粉及其 NIReIr海绵、NiSc海绵发展，等离子喷涂对阴极发射性能及其蒸发的影响及其氧化物阴极表面纳米涂层的制备技术。
22.阴极工程化应用中的质量一致性控制
- 王玉春;谢启辉;马静;赵请;张毅
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：随着阴极工程应用程度的提高，其质量的稳定性要求也不断提高，为了更好的保证最终产品的品质，本文通过分析阴极制备工艺过程，对阴极基体、活性物质采用相关的方法建立了相关质量监控手段来保证阴极产品的一致性，为确保器件的可靠性做出努力。综合采用体积法、气压法对钨基体实现在线全检监控其质量，筛选掉近1/4不合格的钨基体;采用水冷二极管的方法检测铝酸盐的质量，筛掉了近1/3的不合格铝酸盐，相对提高了阴极的质量。
23.快热阴极热子组件的研制
- 杨立霞
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：本文介绍了阴极直径为Φ3.2mm的快热阴极热子组件的一种设计方案，在对此种结构的阴极热子组件进行瞬态升温的仿真模拟的基础上，完成了快热阴极热子组件的研制。并对所研制的1#和2#快热阴极热子组件进行了快热特性试验，得到的结果为:1#组件中，当热子冲击电压为5.0V时，阴极温度达到1000°C，所用时间为78;2#组件中，当热子冲击电压为5.5V时，阴极温度达到1012°C，所用时间为7s。
24.拒斥场法在评价阴极性能中的应用
- 张洪来;刘燕文
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：本文论述了拒斥场法在评价阴极的性能-逸出功及其分布和电子的初速分布方面的应用。给出了测试原理、测试装置及测试结果。
25.基于碳纳米管/氧化锌纳米复合材料的制备及场发射性能研究
- 林贺;叶芸;肖晓晶;郑隆武;洪春燕;郭太良
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：以醋酸锌和二甲基甲酞胺(DMF)为原料，通过水热法制备出碳纳米管/氧化锌纳米复合材料，研究了不同反应物浓度对产物形貌和尺寸的影响。采用扫描电子显微镜(scanning Electron Microscope，SEM)、X射线衍射(X-ray diffraction，XRD)表征产物的结构和性能。XRD和SEM结果表明，反应物浓度为0.021mol/L条件下合成样品氧化锌颗粒形成良好晶型，平均直径为20nm;场发射测试表明样品的开启场强为2.3V/μm，当场强为3.0V/μm时，电流密度可达到2.5mA/cm2,是一种性能优良的冷阴极电子发射源。
26.纳米结构碳膜的场发射机理研究
- 王艳燕;许基松;顾广瑞
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：纳米结构碳膜的场发射F-N曲线呈非线性，用传统的F-N理论无法解释这一现象。因此，我们提出一个三电场区域模型，将场发射电流数据分成三个区域，即低电场区域（非饱和电流区域）、中间电场区域（部分饱和电流区域）和高电场区域（饱和电流区域）。通过修改传统的F-N理论和引入空间电荷限制电流（SCLC）模型，成功地解释了低电场、中间电场和高电场区域纳米结构碳薄膜的场发射数据。
27.碳纳米管场发射阴极阵列背光源的研究
- 肖晓晶;叶芸;杨帆;洪春燕;郭太良
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：利用介质层对衬底电极进行局部覆盖，将碳纳米管(carbon nanotubes，CNT)电泳沉积于区域电极上，并真空封装制成CNT场发射阴极阵列背光源。采用光学显微镜和扫描电子显微镜分别对CNT场发射阴极阵列和CNT阴极表面形貌进行表征，结果表明CNT有选择地、均匀地沉积在衬底电极表面，CNT无明显团聚、平均分布。并且对场发射阴极阵列背光源的场发射性能研究测试，当背光源工作电压为915V时，发射电流为18mA，发光亮度达5000cd/m2。该CNT场发射阴极阵列背光源中介质层减小CNT有效面积，提高电泳沉积和阵列发光的均匀性，为提高碳纳米管背光源的性能提供一种新方案。
28.场致发射背光源均匀性控制技术研究
- 徐胜;陈冬灵;郑建用;姚剑敏;林志贤;郭太良
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：介绍了场致发射背光源(FE-BLU)驱动系统的工作原理。并通过分析FE-BLU亮度均匀性不好的原因，从电路设计的角度提出了适用于FE-BLU的亮度均匀性改善方案。论述了FE-BLU驱动系统的研制，包括前级图像信号处理模块和后级驱动模块。通过采用专用集成图像灰度调制和集成扫描电路接口技术以及FPGA控制技术研制出了FE-BLU驱动系统。实验证明，FE-BLU驱动系统能够有效驱动三级型结构的FE-BLU，图像画质清晰，亮度均匀性较好，系统稳定、可靠。
29.吸附碱金属对碳纳米管性质的影响
- 元光;徐顺福
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：利用第一原理计算研究了碱金属吸附对碳纳米管功函数的影响。计算结果表明，碳纳米管吸附碱金属原子之后功函数显著降低，并与被吸附碱金属原子的电负性成线性关系。功函数的降低主要来自于吸附碱金属以后碳纳米管和碱金属原子之间电荷转移所造成的费米能级的提高和诱导偶极矩所造成的真空能级的变化。
30.平栅型场发射器件的模拟研究
- 张永爱;郑泳;肖晓晶;吴朝兴;林映飞;郭太良
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：采用ANSYS软件模拟了工作电压对平栅型场致发射显示器件的阴极表面电场分布和电子运动轨迹的影响。模拟结果表明，平栅型场发射器件为边缘发射型器件，工作电压的改变，平栅型场发射器件的阴极表面电场和电子运动轨迹也随之改变，从而影响器件的场发射性能。
31.阳极氧化电流密度和时间对多孔硅形貌和电子发射特性的影响
- 张玉娟;张小宁;王文江;刘纯亮
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：通过电化学阳极氧化，快速热氧化和磁控溅射制备出了具有金属/多孔硅/硅基底/金属结构的多孔硅电子发射体。运用扫描电子显微镜观察了多孔硅层的微观形貌。结果表明多孔硅的孔径随着电化学阳极氧化电流密度的增加而增加，多孔硅层的厚度随着通过单位面积的电化学阳极氧化电荷量的增加而增加。在真空系统中测量了多孔硅的电子发射特性。在正向直流偏压条件下，从基底注入的电子在多孔硅层中被加速，并隧穿通过Au膜发射到真空中。电子发射的闭值电压Vth随着通过单位面积的电化学阳极氧化电荷量的增加而增加。最大的发射效率η是7.5‰，此效率出现在电化学阳极氧化电流密度为30 mA/cm2、时间为5分钟制备的样品中，对应的器件电压Vps为30V。
32.光子晶体线缺陷波导中的折射率相位移调制增强效应的研究
- 陈兵;李永东;刘纯亮;唐天同
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：我们分别利用平面波展开方法和时域有限差分方法研究了光子晶体线缺陷波导中因材料折射率变化所引起的相位移调制增强效应。这种增强效应源于光子带边缘附近的扁平色散特性。计算结果表明: 对于0.46％的相同折射率变化所引起的相位移调制，光子晶体线缺陷波导中的二相位调制长度仅为均匀媒质中的11.7％。通过以进一步研究，这种增强效应有望应用与高密度集成光路。
33.一种记忆型非线性功率放大器的自适应预失真方法
- 胡欣;王刚;王自成;罗积润
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：针对记忆型非线性功率放大器，本文介绍一种记忆型预失真函数的构建方法，在预失真多项式系数辨识过程中，能够避免对功率放大器记忆多项式模型的求逆计算。相比记忆多项式预失真器，这种预失真器的计算复杂度较小，却能够得到与其相近的线性化效果。最后基于非线性功率放大器记忆多项式模型，利用OFDM(Orthogonal Frequency Division Multiplexing)宽带信号验证本文提出的自适应记忆型预失真器对记忆型非线性功率放大器的良好线性化效果。
34.S参数标准装置测量不确定度评定
- 李文婷;冯锡燕;刘燕;梁恩铭
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：S参数标准装置由标准失配器、标准衰减器和标准空气线组成，本文主要对其分析不确定度来源，并进行合成计算，通过稳定性和重复性检验，得到最终测量不确定度，开展日常计量检测工作。
35.基于粒子模拟的圆盘磁绝缘传输线等效电容和等效电感修正计算
- 李永东;马萌;王洪广;郭帆;刘纯亮
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：由于层流模型的基本假设与实际物理模型不符，基于层流模型导出的磁绝缘传输线磁绝缘形成后等效分布电容和等效分布电感的理论公式，与实际情况存在误差。在层流模型导出的理论公式中引入修正因子，利用粒子模拟计算圆盘磁绝缘传输线磁绝缘形成后等效电容和电感，并对粒子模拟结果进行数值拟合，获得了修正因子依赖于电压和电流的经验公式。修正后的圆盘磁绝缘传输线磁绝缘形成后等效分布电容、等效分布电感理论公式与粒子结果符合的较好。
36.粒子模拟软件UNIPIC阳极离子发射模型研究
- 王洪广;马萌;李永东;张鹏飞;刘纯亮
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：本文综合考虑电子在阳极表面的能量沉积作用与阳极表面电流的欧姆加热作用，对温度闭值空间电荷限制流发射模型进行了改进，建立了阳极离子发射模型并加入到粒子模拟软件尤普(UNIPIC)中，最后采用该模型研究了不同参数下磁绝缘传输线阳极离子发射情况。
37.一种用于PIC粒子模拟的新型粒子合并算法
- 王若鹏;李永东;王洪广;刘纯亮
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：本文提出了一种可用于PIC粒子模拟的一种新的粒子合并算法。该算法相对于已经提出和使用的其他粒子合并算法来说，可以更好的保证合并前后粒子在相空间分布的守恒，同时保证了合并前后能量的守恒。这种粒子合并的方法用于粒子模拟软件中，可以提高模拟速度，同时解决由于粒子数过多而导致计算机资源耗尽，无法继续计算的问题。对于PIC粒子模拟的发展有着重大的意义。
38.电真空器件的贮存寿命评价初探
- 商萍;赵兴群;孙小菡
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：引起电真空器件失效的因素很多，但对于非工作状态下长期贮存的器件而言，最可能发生失效的机理是管内气压的上升。当管内气压上升到它的最大工作气压时，电真空器件就没有使用和贮存价值。因此，可以通过测量管内气压来确定它的贮存寿命。从理论上建立通过测量管内气压来评价电真空器件贮存寿命的模型，利用行波管性能测试监控系统，收集行波管各电源参数及高频性能测试数据，使用神经网络方法预测器件的剩余寿命，实现行波管的性能评价。
39.基于双方形共面电磁带隙结构的曲折线研究
- 柏宁丰;陈众;马大康;孙小菡
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：提出了一种易于制作的双方形电磁带隙(DS-EBG)结构。利用CST进行数值仿真设计并制作样品进行实验测量，设计结构带阻中心波长为9.5GHz，带隙宽度为4.7GHz，相对带隙宽度达49.2%。实验测试数据与设计结果相近。与传统的紧凑共面形EBG(UC-EBG)结构的仿真及实验对比结果表明，DS-EBG的相对带隙宽度更宽，且通带边沿衰减更加陡峭。在此结构基础上加载曲折线，进行了冷特性仿真。
40.M型阴极获得高电子发射能力的机理
- 阴生毅;张洪来;杨靖鑫;奎热西;钱海杰;王嘉欧;王宁;王欣欣
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：M型阴极获得高电子发射能力的机理是阴极领域的难点问题。本文利用同步辐射光电子谱装置，开展了覆W膜阴极和覆Os膜阴极表面元素成分及化学态的研究，从化学态角度对这一机理作出了新的解释。研究表明，与W膜相比，Os膜使阴极表面的钡和氧的化学状态发生明显改变，并使阴极表面的超额钡大幅增加。进一步分析表明，M型阴极对应的贵金属薄膜都具有容易氧化且氧化物易于分解的特性，这一特性是造成M型阴极电子发射能力大幅提高的根本原因。
41.定向碳纳米管阵列的制备及其场发射性能研究
- 丁沐沂;雷威;张晓兵;李驰
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：本文采用PECVD法制备定向垂直碳纳米管阵列，并通过控制催化剂点的尺寸制备出长径比更优的单根碳纳米管阵列，鉴于碳纳米管几何参数(总面积，图案，密度，高度等)对于碳纳米管的场发射性能具有重要的影响，因此本文设计并制备了了两种不同面积的定向碳纳米管阵列结构体，对二者进行场发射测试和模拟计算，进行分组实验，最后提出了两种方案来提高其场发射电流密度。
42.回旋速调管时域非线性理论与模拟验证
- 朱小芳;马俊建;金晓林;胡玉禄;李建清;杨中海;李斌
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：本文建立了一种回旋速调管时域非线性注波互作用理论模型。模型采用广义电报方程描述回旋速调管内的三维电磁场，由全相对论洛伦兹力推进粒子运动，粒子运动形成电流激励电磁场，完成电子注与电磁波自洽互作用过程的完整描述。设计了Dolph-Chebychev与Modified Dolph-Chebychev波导渐变器，对相应回旋速调管与线性波导渐变器回旋速调管进行计算与分析。采用Medified Dolph-Chebychev 波导渐变器的回旋速调管达到性能指标。
43.基于粒子模拟的磁绝缘传输线损失电流计算
- 马萌;李永东;王洪广;刘纯亮
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：磁绝缘传输线损失电流的计算方法是磁绝缘传输线系统电路模拟的重点和难点之一。已有的计算损失电流的方法是通过求解空间电荷电流随传导电流变化的广义Poisson方程，但是由于计算量大、计算时间长，实际的电路模拟中难以使用。本文在粒子模拟的基础上，得到了一种空间电荷限制流的修正计算公式，进而通过近似插值计算得到了磁绝缘传输线的损失电流。
44.三螺旋线组合慢波结构性能研究
- 陈明芳;钱文轩;廖复疆;孙小菡
- 《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》 | 2011年
摘要：针对行波管小型化的发展趋势，本文提出了一种三螺旋线组合慢波结构，通过四根介质夹持杆将三根电气尺寸完全相同的螺旋线固定在金属管壳内。使用CST-MWS对该慢波结构进行分析，考虑介质夹持杆形状和尺寸变化对慢波结构的色散特性和耦合阻抗等冷测特性的影响。分析结果表明，对于圆形夹持杆和矩形夹持杆，慢波结构色散特性受夹持杆尺寸变化的影响不大。而夹持杆尺寸变化对耦合阻抗影响较为明显，在特定的情况下，存在使耦合阻抗最大的最佳参数值。