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M型阴极获得高电子发射能力的机理

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M型阴极获得高电子发射能力的机理是阴极领域的难点问题。本文利用同步辐射光电子谱装置，开展了覆W膜阴极和覆Os膜阴极表面元素成分及化学态的研究，从化学态角度对这一机理作出了新的解释。研究表明，与W膜相比，Os膜使阴极表面的钡和氧的化学状态发生明显改变，并使阴极表面的超额钡大幅增加。进一步分析表明，M型阴极对应的贵金属薄膜都具有容易氧化且氧化物易于分解的特性，这一特性是造成M型阴极电子发射能力大幅提高的根本原因。

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来源
《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》|2011年|923-926|共4页
会议地点张家界
作者
阴生毅; 张洪来; 杨靖鑫; 奎热西; 钱海杰; 王嘉欧; 王宁; 王欣欣;
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作者单位

中国电子学会真空电子学分会;

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正文语种
原文格式 PDF
中图分类场致发射、场致发射阴极;
关键词
阴极; 电子发射; 机理分析; 化学分析; 光电子能谱;

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