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电子发射体、冷阴极场电子发射元件和冷阴极场电子发射显示装置的制造方法

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冷阴极场电子发射元件的制造方法由下列工序组成：(a)在设置于支撑体(10)上的阴极电极(11)的所希望的区域上，形成由母材(21)掩埋了碳纳米管结构体(20)的复合体层(22)的工序；以及(b)在使剥离层(24)附着于复合体层(22)的表面后，用机械方法将剥离层(24)剥离，在顶端部突出的状态下，得到碳纳米管结构体(20)被埋入母材(21)中的电子发射部(15)的工序。

著录项

公开/公告号CN100527310C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-08-12

原文格式PDF
申请/专利权人索尼株式会社;
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申请/专利号CN02816284.6
发明设计人八木贵郎;岛村敏规;
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申请日2002-11-18
分类号H01J9/02(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人刘宗杰;王忠忠
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:02:51

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-12-31

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 9/02 授权公告日:20090812 终止日期:20131118 申请日:20021118

专利权的终止
2009-08-12

授权

授权
2005-06-22

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-04-13

公开

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1. 电子发射体、冷阴极场电子发射元件和冷阴极场电子发射显示装置的制造方法 [P] . 中国专利： CN100527310C . 2009.08.12
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