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电子发射体及其制造方法、冷阴极场致电子发射部件及其制造方法和冷阴极场致电子发射显示装置及其制造方法

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摘要

冷阴极场致电子发射部件由以下部分构成：设置于支持体(10)上的阴电极(11)；形成于支持体(10)和阴电极(11)之上的绝缘层(12)；形成于绝缘层(12)上的栅电极(13)；形成于栅电极(13)和绝缘层(12)的开口部(14A、14B)；在位于开口部(14B)底部的阴电极(11)部分之上所形成的电子发射部(15)。电子发射部(15)由基质(21)和以前端部突出的状态埋置于该基质(21)中的碳纳米管结构体(20)构成。

著录项

公开/公告号CN100474482C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-04-01

原文格式PDF
申请/专利权人索尼公司;
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申请/专利号CN02814520.8
发明设计人八木贵郎;岛村敏规;
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申请日2002-07-18
分类号H01J1/304(20060101);H01J9/02(20060101);H01J29/04(20060101);H01J31/12(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人彭久云
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:02:08

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-09-21

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 1/304 授权公告日:20090401 终止日期:20100718 申请日:20020718

专利权的终止
2009-04-01

授权

授权
2004-12-15

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-09-29

公开

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