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平栅型场发射器件的模拟研究

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采用ANSYS软件模拟了工作电压对平栅型场致发射显示器件的阴极表面电场分布和电子运动轨迹的影响。模拟结果表明，平栅型场发射器件为边缘发射型器件，工作电压的改变，平栅型场发射器件的阴极表面电场和电子运动轨迹也随之改变，从而影响器件的场发射性能。

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来源
《中国电子学会真空电子学分会第十八届学术年会暨军用微波管研讨会》|2011年|801-804|共4页
会议地点张家界
作者
张永爱; 郑泳; 肖晓晶; 吴朝兴; 林映飞; 郭太良;
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作者单位

中国电子学会真空电子学分会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类显示器件;
关键词
场发射显示器件; 模拟分析; 电场分布; 场发射性能;

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