具有L型栅极场板的双槽双栅绝缘体上硅器件新结构

代红丽; 赵红东; 王洛欣; 石艳梅; 李明吉

首页> 中文期刊>电子学报 >具有L型栅极场板的双槽双栅绝缘体上硅器件新结构

具有L型栅极场板的双槽双栅绝缘体上硅器件新结构

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

为了降低绝缘体上硅(SOI)功率器件的比导通电阻,同时提高击穿电压,利用场板(FP)技术,提出了一种具有L型栅极场板的双槽双栅SOI器件新结构.在双槽结构的基础上,在氧化槽中形成第二栅极,并延伸形成L型栅极场板.漂移区引入的氧化槽折叠了漂移区长度,提高了击穿电压;对称的双栅结构形成双导电沟道,加宽了电流纵向传输面积,使比导通电阻显著降低;L型场板对漂移区电场进行重塑,使漂移区浓度大幅度增加,比导通电阻进一步降低.仿真结果表明:在保证最高优值条件下,相比传统SOI结构,器件尺寸相同时,新结构的击穿电压提高了123％,比导通电阻降低了32％;击穿电压相同时,新结构的比导通电阻降低了87.5％;相比双槽SOI结构,器件尺寸相同时,新结构不仅保持了双槽结构的高压特性,而且比导通电阻降低了46％.

著录项

来源
《电子学报》|2018年第5期|1146-1152|共7页
作者
代红丽; 赵红东; 王洛欣; 石艳梅; 李明吉;
展开▼
作者单位

河北工业大学电子信息工程学院,天津300401;

天津理工大学电气电子工程学院,天津300384;

河北工业大学电子信息工程学院,天津300401;

天津理工大学电气电子工程学院,天津300384;

天津理工大学电气电子工程学院,天津300384;

天津理工大学电气电子工程学院,天津300384;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 PNPN四层结构器件;
关键词
场板; 击穿电压; 比导通电阻;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 双槽栅SOI LDMOS器件结构及其制造方法研究 [J] . 许生根 ,张海鹏 ,齐瑞生 . 科技通报 . 2011,第2期
2. 双极场引晶体管:V.双极电化电流理论(双MOS栅纯基)(英文) [J] . 揭斌斌 ,薩支唐 . 半导体学报：英文版 . 2008,第4期
3. 场引晶体管理论:XI.双极电化电流(薄及厚、纯及不纯基体,单及双MOS栅极)(英文) [J] . 薩支唐 ,揭斌斌 . 半导体学报：英文版 . 2008,第3期
4. 场引晶体管理论:XII.双极飘移扩散电流(薄及厚、纯及不纯基体,单及双MOS栅极)(英文) [J] . 揭斌斌 ,薩支唐 . 半导体学报：英文版 . 2008,第7期
5. 单栅和双栅多晶硅薄膜晶体管的二维器件仿真 [J] . 邓婉玲 ,黄君凯 . 光电子技术 . 2011,第3期
6. 栅场板对具有p-GaN栅的GaN HEMT器件性能的影响 [C] . 王立东 ,王中健 ,程新红 . 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 . 2013
7. 具有不同源场板的双凹栅4H-SiCMESFETs设计与仿真 [A] . 孙哲霖 . 2014

具有L型栅极场板的双槽双栅绝缘体上硅器件新结构

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅