具有不同源场板的双凹栅4H-SiCMESFETs设计与仿真

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目录

绪论

1.1 4H-SiC材料和器件发展现状

1.2 4H-SiC MESFET国内外研究进展及面临的挑战

1.3 本文的创新点和主要内容

第二章 4H-SiC MESFET物理模型

2.1 4H-SiC材料模型

2.2 4H-SiC MESFET物理模型

2.3 本章小结

第三章具有单源场板和双源场板的双凹栅4H-SiC MESFET

3.1双凹栅4H-SiC MESFET

3.2具有单源场板的双凹栅4H-SiC MESFET

3.3具有双源场板结构的双凹栅4H-SiC MESFET

3.4 本章小结

第四章具有阶梯型源场板的双凹栅4H-SiC MESFET

4.1 阶梯型源场板结构

4.2 阶梯型源场板的的优化

4.3 本章小结

第五章具有不同源场板的双凹栅4H-SiC MESFET特性比较

5.1具有不同源场板结构的双凹栅4H-SiC MESFET的直流特性

5.2具有不同源场板结构的双凹栅4H-SiC MESFET的频率特性

5.3 本章小结

第六章 结论与展望

6.1 结论

6.2 下一步的工作

参考文献

致谢

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