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非晶IGZO薄膜晶体管的稳定性

摘要

本论文研究了在IGZO成膜过程中Ar/O2流量比对氧化物半导体薄膜晶体管性能的影响.并测试了器件的转移特性曲线及偏压应力稳定性.研究结果表明:Ar/O2流量比将影响IGZO膜层的特性,氧流量较小会使器件呈现导体特性.制备了具有良好特性的a-IGZO TFT器件,其迁移率为21.2cm2/V.s、Vth为1V、亚阈值摆幅仅为0.12V/dec、开关比为5.0×107,并且器件具有良好的偏压稳定性.

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