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基于铟镓锌氧薄膜晶体管的混合互补型反相器设计

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摘要

近年来,以非晶铟镓锌氧(IGZO)薄膜为代表的非晶氧化物半导体受到了研究人员的广泛关注.这是因为它的制成温度低,载流子迁移率高,且大面积均匀性好.然而,由于自身本征的n型单极性半导体特性,基于IGZO的逻辑电路功耗高,在逻辑电路和可穿戴电子领域,该材料不能满足低能耗的设计要求.基于以上难点,将IGZO薄膜晶体管(TFT)和氢化低温多晶硅(LTPS)TFT集成在一起来组成互补型反相器(CMOS).制备过程中IGZO会受到LTPS的过量氢污染而呈现金属化特性,提出了定向去氢的方法,通过快速热退火处理解决了该问题.最后得到了增益高达68,静态电流低至pA,噪声容限极大的互补型反相器.

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来源
《2018中国显示学术会议》|2018年|108-112|共5页
会议地点西安
作者
CHEN Changdong; 陈昌东; LIU chuan; 刘川;
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作者单位

中国物理学会;

中国光学光电子行业协会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
反相器; 制备工艺; 铟镓锌氧薄膜晶体管; 低温多晶硅;

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