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Geant4应用于半导体器件单粒子翻转效应的研究

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利用蒙特卡洛工具Geant4模拟半导体器件的单粒子翻转效应(SEU),并构建了基于Geant4工具模拟半导体器件及电路单粒子翻转效应的一般方法.辐照过程中主要的电学与核反应物理过程的作用决定了器件中敏感单元产生的沉积电荷量的分布,尤其核反应的物理过程对于沉积较高电荷量的贡献很大.最后,利用Geant4分析敏感单元上存在的后段互联材料钨对于单粒子翻转的反应截面曲线的影响,并进行了模拟仿真.模拟结果表明,钨层的存在会加重存储器件的单粒子翻转效应.

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来源
《中国宇航学会深空探测技术专业委员会第十届学术年会》|2013年|543-548|共6页
会议地点太原
作者
贾少旭; 毕津顺; 刘刚; 罗家俊; 韩郑生;
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作者单位

中国宇航学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
半导体器件; 单粒子翻转效应; 仿真模拟;

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