GEANT4SPE质子屏蔽和半导体材料辐射效应模拟

路伟; 王同权; 王尚武; 陈达毅; 王兴功

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利用蒙特卡罗软件GEANT4模拟太阳宇宙射线中能量为1 MeV^10 GeV质子对航天飞行器的影响,透射质子对半导体材料的损伤效应,计算外壳铝层对质子能谱的屏蔽效应.模拟结果表明,质子在介质中的线性能量转移、射程等和参考数据吻合较好;沿质子轨迹纵向能量沉积出现Bragg峰,且非弹性作用是影响能量沉积Bragg曲线的重要因素;对于半导体Si材料,反冲原子主要分布在质子轨迹线周围,并沿轨迹线横向‘扩散’,浓度降低;Al层屏蔽使入射质子能谱硬化,当Al层厚度超过10 mm时,厚度增加对屏蔽效果的改善不明显,反而次级粒子辐射增强效应变大.

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来源
《计算物理》 |2009年第4期|591-596|共6页
作者
路伟; 王同权; 王尚武; 陈达毅; 王兴功;
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作者单位

国防科技大学光电科学与工程学院;

解放军疾病预防控制所;

西昌卫星发射中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类射线与物质的相互作用;
关键词
GEANT4; 线性能量转移; 射程; 反冲原子;

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