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GaAs/InAs纳米线量子点的单光子发射研究

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本文描述了基于GaAs纳米线侧壁InAs量子点的可控分子束外延生长，设计了一种新型分义纳米线腔结构并研究了其单光子发射效应。采用VLS生长机制，在Si基上利用Ga液滴白催化形成的GaAs纳米线，白组织生长的InAs量子点分布于侧面，如图1所示，约50%的纳米线由于存在应力使Ga液滴集聚，导致侧壁优先生长，形成分叉GaAs纳米线。研究表明：分叉纳米线量子点是生长在Si衬底上的，为实现Si基光子互联、波导耦合等量子器件提供了新思路，且这种结构不仅具有高品质的单光子发射特性，还具有潜在丰富的量子信息处理功能，如通过控制分义点位置实现多通道量子器件，在量子点周围掺杂实现三端调控量子电学器件等。

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来源
《第十届全国分子束外延学术会议》|2013年|88-89|共2页
会议地点上海
作者
喻颖; 牛智川; 李密锋; 查国伟; 王莉娟; 徐建星; 尚向军; 倪海桥;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.2:TN304.054.41;
关键词
化合物半导体; 砷化镓纳米线量子点; 砷化铟纳米线量子点; 分子束外延生长; 单光子;

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