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涂硼GEM中子探测器中的硼转化层工艺研究

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GEM是近年来蓬勃发展起来且技术日趋成熟的新型气体探测器,性能十分突出,有很好的位置分辨,高计数率,耐辐射,信号读出方式简单、灵活,能制作大面积探测器,应用范围广.涂硼GEM中子探测器是由多层级联涂硼GEM膜作为中子转换载体,通过一级GEM进行气体放大,由读出电极将中子击中信息读出.该探测器,性能优越,满足新一代中子探测器发展的技术要求.涂硼GEM中子探测器的核心部件是涂硼中子转换电极,包括涂硼阴极和涂硼GEM膜,由于硼是非金属介质,熔点还很高(＞2000℃),不能采用电鍍,也不能使用热蒸发,因此如何在电极上鍍上符合中子探测要求的、高质量的硼层用于制作中子转换电极,成为了涂硼GEM中子探测器发展过程中的关键技术.相比于蒸发法,溅射法有沉积温度较低,成膜纯度高,结合力好的特点,比较适合本课题的研究.磁控溅射是对溅射法的一种改进方法,较普通的溅射法可以在较低的工作气压、较高的靶电压下进行溅射,膜的性能可以得到进一步的提升.本文通过对鍍膜工艺的摸索,采用磁控溅射方法在铜电极和GEM膜上制备纯硼薄膜,具有成膜质量高、成膜速度快、膜层与基底附着力强不易脱落、引入杂质少、膜层厚度均匀可控和成本低等特点.

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来源
《中国核学会2013年学术年会》|2013年|91-96|共6页
会议地点哈尔滨
作者
YE Di; 叶笛; 肖宇; XIAO Yu; DIAO Xun-gang; 刁训刚; SUN Zhi-jia; 孙志嘉; ZHOU Jian-rong; 周健荣; WANG Yan-feng; 王艳凤; YANG Gui-an; 杨桂安; 许虹; XU Hong; CHEN Yuan-bai; 陈元柏;
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作者单位

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TL816.3;
关键词
中子探测器; 涂硼中子转换电极; 直流磁控溅射技术; 工艺参数;

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