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动态电流不均衡下的压接型IGBT器件各芯片的电动力计算

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高压大功率压接型IGBT器件采用多芯片并联技术,在器件装配时必须考虑多芯片之间潜在的电流不均衡现象及其电学、热学、力学效应.本文建模评估了不均流时电流过冲的力学效应对于器件性能与可靠性的影响.结合Q3D Extractor和Saber等商用软件对3300V/1500A压接型IGBT器件进行建模,计算了一个开关周期内IGBT芯片之间的电流分布,而后利用COMSOL Multiphysics计算各芯片承受的横向电动力及其应变.结果表明,开通瞬间的电流过冲现象会加剧外围芯片承受的横向电动力,最大值为1.99e-4N,短期内对器件性能不会造成影响,但对器件的长期可靠性有待继续研究.

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来源
《中国电机工程学会2017年全国电工理论与新技术学术年会》|2017年|1-5|共5页
会议地点武汉
作者
Peng Cheng; 彭程; Gu Miaosong; 顾妙松; Cui Xiang; 崔翔; Zhao Zhibin; 赵志斌; Tang Xinling; 唐新灵;
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作者单位

中国电机工程学会中国电工技术学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN322.8:TN303;
关键词
压接式绝缘栅双极型晶体管; 芯片结构; 电流分布; 电动力;

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