多芯片并联压接式IGBT中温度不均对电流分布的影响

邓真宇; 陈民铀; 赖伟; 李辉; 王晓; 李金元; 杜耀婷

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多芯片并联压接式IGBT中温度不均对电流分布的影响

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多芯片并联的压接式IGBT器件是柔性直流输电设备中的关键部件,因制造工艺、回路寄生参数和热耦合问题使得器件内部应力分布不均,造成器件不均匀老化,使得内部温度不均程度加剧,进而使得电流分配不均.围绕不同温度差异下导致的电流分布不均问题展开研究.首先,对造成IGBT器件并联不均流的原因以及温度对不均流特性的作用进行分析.然后,利用单芯片压接式IGBT器件并联模拟多芯片器件内部的温度分布不均情况,进行温度分布不均匀程度对电流分配影响的实验.最后,通过实验验证并联器件间温度差异与不均流程度的关系.所提方法为提高器件的运行可靠性和对压接式IGBT失效机理认知奠定基础.

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来源
《中国电力》 |2020年第12期|10-17|共8页
作者
邓真宇; 陈民铀; 赖伟; 李辉; 王晓; 李金元; 杜耀婷;
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作者单位

重庆大学电气工程学院重庆 400044;

重庆大学电气工程学院重庆 400044;

重庆大学电气工程学院重庆 400044;

重庆大学电气工程学院重庆 400044;

重庆大学电气工程学院重庆 400044;

全球能源互联网研究院有限公司北京 102206;

国网重庆市电力公司南岸供电分公司重庆 400060;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
压接式IGBT; 温度分布; 电流分布; 并联; 均流;

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