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HL-2A装置中可见光轫致辐射强度剖面分布的测量

摘要

准确的有效电荷数(Zeff)计算对高温等离子体中杂质的控制非常重要.可见光轫致辐射的精确测量是获得可靠的Zeff数值的首要因素.首次获得了HL-2A装置中空间分辨率为1cm的可见光轫致辐射的剖面分布,进行了不同放电条件下,如NBI/ECRH辅助加热、L-H模转化以及杂质注入期间的轫致辐射剖面分布的测量.真空室内壁上光吞食器(靠近等离子体强场侧且面向成像镜头)的安装有效地减小了壁反射对轫致辐射测量精度的影响,解决了托卡马克装置中常见的壁反射问题.利用高光通量、高谱分辨率的光谱仪对523.6nm附近的连续波段进行选择测量,有效地避免了辅助加热或杂质注入实验条件下杂质线对连续谱段的干扰.实验结果表明,欧姆放电下的轫致辐射分布呈芯部峰化特征,且位于等离子体弱场侧的中平面上部r=26cm附近会存在一个局部辐射区域,该区域在NBI注入约8ms之后辐射强度迅速增加.较高电子密度条件下对应的Zeff较小.

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