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CFBR-II堆外置14MeV中子源的增殖等效性计算

摘要

根据中子源有效性系数的物理意义,建立了基于MCNP程序的蒙特卡罗算法。分别抽样模拟外置14MeV源中子与本征分布源中子的产生及在系统内的输运过程,统计二者引起的泄漏中子计数,其比值即为外置14MeV中子源的有效性系数。计算表明,14MeV入射中子的平均有效性系数随外源距离的变化在一定范围内(100cm~200cm)并不敏感,近似为常数0.78,同时也得到了入射中子相对于252Cf中心点源的有效性系数为0.95,可供相关实验研究参考。

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