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AlGaInP发光二极管薄膜芯片

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本文介绍了三安光电公司研发和生产的AlGaInP-LED薄膜RS系列芯片产品产业化技术现状.通过采用多项先进工艺和质量控制技术,产业化生产的RS-LED外延片和芯片具有良好的性能及可靠性.其中RS-LED芯片产品通过采用全方位反射镜、衬底转移、金属键合和表面粗糙化等关键工艺技术,实现了良好的大电流特性和电流扩展性能,亮度指标大幅提升,红光RS-LED芯片最高亮度达550mcd,Au-To封装后器件光通量可达3.5 lm.针对RS-LED芯片生产工艺的特点,本文探讨了产业化生产的关键工序、生产过程质量控制点以及质量控制关键参数等,提出了切实有效的生产过程质量控制方法,并付诸实践.

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来源
《第十三届全国LED产业发展与技术研讨会》|2012年|84-88|共5页
会议地点武汉
作者
蔡文必; 蔡伟智; 吴超瑜; 刘如玲; 邱姝颖;
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作者单位

中国光学光电子行业协会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN312.8:TN304.055;
关键词
薄膜发光二极管; 产品开发; 技术指标; 产业化生产;

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