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薄膜硅/晶体硅径向异质结的研究

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本文用自组装微球做膜板,通过反应离子刻蚀(RIE)技术,在晶硅衬底上制备了大小均一、排布高度有序的纳米棒阵列,获得了反射率较低的表面.采用热丝化学气相沉积(HWCVD)工艺,在纳米棒阵列上制备了径向结构的pn 结.扫描电镜图像显示,非晶薄膜硅和透明导电膜层都实现了良好的保角覆盖.通过拟合暗I-V 曲线,分析了原子H 预处理对不同结构衬底钝化的影响.

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来源
《第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会（CPVC12）》|2012年|1-5|共5页
会议地点北京
作者
董刚强; 刘丰珍; 刘静; 朱美芳;
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作者单位

中国可再生能源学会;

中科院;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类硅及其无机化合物;特种结构材料;
关键词
径向结构; 异质结; 纳米棒; 薄膜硅; 晶体硅;

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