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缓冲层对太阳电池用绒面结构MOCVD-ZnO薄膜光电性能的影响

摘要

宽光谱透明导电氧化物(TCO)材料及其在薄膜太阳电池上的应用已成为新的研究热点.增加TCO 薄膜在近红外区域的光学透过对于提高太阳电池效率具有重要意义.本文通过优化ZnO 缓冲层(buffer layer),有效地改善了MOCVD-ZnO:B的光电特性.结果表明:“富氧”的缓冲层有效地增加了ZnO:B-TCO的近红外区域透过率,使其更适应宽光谱薄膜太阳电池的发展要求.经过优化的ZnO:B 特性如下:“类金字塔”状晶粒尺寸~300nm-500nm,波长550nm 处绒度(Haze) 值为10.8%, 薄膜电子迁移率为20.7cm2/Vs ,电阻率为2.14×10-3.cm,载流子浓度为1.41×1020cm-3,且在400nm-1500nm 波长范围内的平均透过率为83%(含2mm 厚玻璃衬底).

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