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一种抗核加固功率VDMOS器件瞬时电离辐射效应研究

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为满足新形势下国产器件抗辐射加固技术研究需要,利用“强光一号”加速器上对一种抗核加固功率VDMOS器件在不同剂量率下进行了瞬态γ剂量率辐照实验,研究了器件的瞬时电离辐射响应规律,得到了器件的瞬时电离辐照时的响应波形.实验结果表明,此型号抗核加固功率VDMOS器件对瞬时电离辐射效应不敏感,实验结果为今后提高功率VDMOS器件的抗瞬时辐射水平提供了参考,具有重要意义.

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来源
《第十六届全国核电子学与核探测技术学术年会》|2012年|159-163|共5页
会议地点四川绵阳
作者
GAO bo; 高博; 刘刚; LIU Gang; WANG Li-xin; 王立新; HAN Zheng-sheng; 韩郑生; ZHANG Fa-zhan; 赵发展; Song Li-mei; 宋李梅; 张彦飞; Zhang Yan-fei; WANG Chun-ling; 王春林;
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作者单位

中国电子学会;

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN321.3:TN307;
关键词
垂直双扩散半导体场效应晶体管; 瞬时电离辐射效应; 抗核加固功率; 器件响应波形;

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