功率VDMOS器件抗SEGR的仿真研究

黄学龙; 贾云鹏; 李劲; 苏宏源

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功率VDMOS器件抗SEGR的仿真研究

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针对功率垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)器件单粒子辐射在空间辐射环境下的要求,从重粒子对VDMOS器件的辐射机理及作用过程出发,通过对200 V抗辐射VDMOS器件进行大量仿真研究发现,器件的元胞间距对VDMOS的抗单粒子栅穿(SEGR)能力有很大的影响,由分析结果可以看出,当元胞间距减小为1μm时对于栅氧层表面电场的改善最为明显,但是导通压降会明显提高.为了在提高抗SEGR能力的同时,使器件的导通压降值适当,在两个元胞之间加入了结型场效应晶体管(JFET)电荷泄放区结构,在保证器件的基本特性的同时,抗SEGR能力也得到明显改善.

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来源
《电力电子技术》 |2019年第8期|113-117|共5页
作者
黄学龙; 贾云鹏; 李劲; 苏宏源;
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作者单位

北京工业大学;

信息学部;

北京100124;

北京工业大学;

信息学部;

北京100124;

北京工业大学;

信息学部;

北京100124;

北京工业大学;

信息学部;

北京100124;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类电动机（总论）;
关键词
垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管; 结型场效应晶体管; 单粒子栅穿;

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