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磁隧道结中MgO薄膜的制备方法及性能表征

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采用磁控溅射(magnetron sputtering)方法生长了磁隧道结结构,通过优化溅射方法和400℃真空退火改善了磁隧道结中MgO层的结晶质量。借助X射线衍射(XRD)分析发现,利用不同靶材溅射生长Mg0薄膜所得到的结晶质量是不同的。利用MgO靶溅射生成的是常规的晶格常数为0.421nm的MgO薄膜,结晶质量较差；通过改变溅射方法,利用Mg靶通O2的溅射生成的MgO薄膜结晶质量有大幅度的提高。对这两组样品同时进行400℃真空退火,退火后MgO薄膜结晶质量有一定的改善。

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来源
《第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议》|2012年|429-431|共3页
会议地点开封
作者
Yongle Lou; 娄永乐; Yuming Zhang; 张玉明; Daqing Xu; 徐大庆; Hui Guo; 郭辉; Yimen Zhang; 张义门; Yuchen Li; 李妤晨;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.21:TN304.055;
关键词
氧化镁薄膜; 磁隧道结; 磁控溅射; 制备工艺; 性能表征;

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