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PECVD提高SiO2薄膜致密性的研究

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为了在高功率980nm激光器工艺中生长出高质量、均匀性好、致密性高的SiO2介质层,研究了PECVD的工作压力、射频功率、SiH4与N2O流量比对SiO2薄膜的生长速率和BOE腐蚀速率的影响。实验采用BOE腐蚀速率来反映SiO2薄膜的致密性,通过降低反应室的工作压力、提高RF射频功率和SiH4流量可以达到降低BOE腐蚀速率,提高SiO2薄膜致密性的目的,采用原子力显微镜(AFM)观察样品的表面形貌,对实验结果进行了验证。本文通过优化各工艺参数最终获得了BOE腐蚀速率为91.8A/s的SiO2薄膜。

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来源
《第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议》|2012年|538-541|共4页
会议地点开封
作者
Wentao Guo; 郭文涛; Manqing Tan; 谭满清; Jian Jiao; 焦健; Xiaofeng Guo; 郭小峰; Ningning SUN; 孙宁宁;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.21:TN304.055;
关键词
二氧化硅薄膜; 致密性分析; 腐蚀速率; 等离子体增强化学气相沉积系统; 参数优化;

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