首页> 中文会议>第十九届中国超硬材料技术发展论坛 >灯丝间距对CVD金刚石厚膜生长的影响

灯丝间距对CVD金刚石厚膜生长的影响

摘要

本文采用热丝化学气相沉积方法制备CVD金刚石厚膜,通过灯丝间距缩短为4mm,同时增加围挡,使得CVD金刚石厚膜的生长速度可达到7.5μm/h,热导率达到1028W/(m·K),CVD金刚石膜结构致密,无孔洞,甚至透红光。其主要原因是灯丝间距缩短和增加围挡,增加了灯丝阵列的活化能力,产生更多的含碳基团和原子氢,促进金刚石生长,加速sp2结构碳的刻蚀。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号