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PDSOI 8K×8 SRAM剂量率效应激光模拟研究

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利用西北核技术研究所波长为1064nmYAG激光器对中国科学院微电子研究所的3种不同条件下的PDSOI 8K×8 SRAM进行了剂量率模拟实验。实验结果表明SRAM电路电源/地间并联电容能够有效提高电路的翻转阈值，多电源/地封装可以抑制SRAM翻转数目随激光功率增强而增加的速度，测试电压的高低对SRAM的翻转有一定影响作用。

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来源
《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》|2011年|383-386|共4页
会议地点三亚
作者
赵发展; 曾传宾; 刘梦新; 刘刚; 韩郑生;
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作者单位

中国电子学会;

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体集成电路（固体电路）;
关键词
微电子; SRAM电路; 抗辐射剂量; 翻转阈值;

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