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GaAs微波功率场效应晶体管中子辐照效应研究

摘要

本文在研究GaAs半导体材料中子辐照位移损伤机制基础上,开展了两种GaAs微波功率场效应晶体管中子辐照试验。在中子注量为1014n/cm3时的试验结果表明样品饱和漏电流减小,经分析可归结为沟道载流子浓度减小和载流子迁移率下降两个因素。分析栅漏击穿电压参数时发现不同种类样品此参数变化趋势略有差异,可解释为沟道载流子浓度和迁移率的变化程度不同引起。

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