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林丽艳; 李用兵;
中国电子学会;
中国核学会;
晶体管; GaAs微波功率场效应; 辐射损伤; 缺陷分析;
机译:GaAs调制掺杂场效应晶体管(MOSFET)中的高能中子辐照效应:阈值电压
机译:通过在AlGaAs / InGaAs掺杂沟道场效应晶体管中插入Pra薄膜金属层来改善栅极泄漏和微波功率性能
机译:InP / InGaAs单异质结双极晶体管中的中子辐照效应
机译:低频噪声评估中子辐照效应SOI和应变SOI MUGFET的研究
机译:用于X波段应用的微波功率氮化铝镓/氮化镓异质结场效应晶体管。
机译:基于皱纹InGaAs纳米膜的集成敏感片上离子场效应晶体管
机译:微波功率/线偏振相关性的综合研究 微波辐射诱导的Gaas / alGaas磁阻振荡 设备
机译:Gaas调制掺杂场效应晶体管(mODFETs)中的高能中子辐照效应:阈值电压
机译:研究了通过轰击中子学分析来测量一种或几种元素的数量的过程,并研究了通过轰击中子学和散料流进行分析的过程。
机译:Gaas-带有刻度的衬底,已组装aegaassb-缓冲器,用于生产高铟含量的场效应晶体管
机译:调制掺杂的GaAs / AlGaAs场效应晶体管
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