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第七届全国可靠性物理学术讨论会

召开年：1997
召开地：云南大理
出版时间： 1997-09

主办单位：中国电子学会

会议文集：第七届全国可靠性物理学术讨论会论文集

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1.ESD试验后GaAsMESFET电参数的变化与失效分析
- 王爱坤
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：通过ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的ＥＳＤ试验前后直流参数、微波参数的变化情况，提出了失效模式，分析了失效机理，叙述了静电防护措施。
- 砷化镓场效应晶体管;
2.GaAsMMIC抗静电能力研究
- 叶禹康
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：用人体静电放电模拟器对以ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ为主要有源器件的ＭＭＩＣ的静电敏感度进行了研究，叙述了在ＭＭＩＣ设计、工艺制作等环节防静电和提高ＭＭＩＣ抗静电能力的措施，采用这些措施后，低噪声ＭＭＩＣ静电损伤阈值电压达到５００－８００伏。
- 砷化镓场效应晶体管;
3.CMOS集成电路抗闩锁度的测试与分析
- 马璇
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文分析ＣＭＯＳ集成电路中寄生可控硅结构的触发机理，介绍了ＣＭＯＳ电路抗闩锁度的一种具体测试标准及电分析方法，并对两种具体的ＣＭＯＳ电路的抗闩锁度进行了测试和分析。
- 集成电路测试;
4.可靠性预计技术的发展研究
- 莫郁薇
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文在跟踪研究国内、外可靠性预计技术发展动态的基础上，分析比较了美国ＭＩＬ－ＨＤＢＫ－２１７系列和中国ＧＪＢ／Ｚ２９９手册的发展情况；论述了考虑早期失效、试验与现场数据、环境应力筛选等因素的预计法及各方法的代表模型；就建模基础、元器件覆盖面、费用、适用范围等方面，对新兴的失效物理学预计法与２１７为代表的统计学方法进行了较全面的比较分析。
- 可靠性预计;
5.FMECA若干问题讨论
- 邵德生
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该报告讨论了在应用ＦＭＥＣＡ技术中出现的若干问题，包括ＦＭＥＣＡ的目的，分析工作的及时性，故障模式与故障机理的区别，补偿措施与纠正措施的区别，定性危害性分析中故障模式发生概率的概念及应用，β概念及其应用，Ｃｒ与Ｃｍ的应用。
- 故障模式;
6.C-V技术在MOS器件参数失效机理的分析
- 贾淑文
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文通过ＭＯＤ生产线上大批产品失效报废的原因分析，揭示了ＭＯＳ电容Ｃ－Ｖ监控技术的一个重要机理，并说明了正确选择样品制备方法的重要性。
- 金属氧化物半导体;
7.用C-V法观察介质-半导体界面的电荷存储效应
- 费庆宇
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：用ＳｉＮｘ作钝化层的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ光电二极管和Ｎ沟道ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的高频特性和电性能稳定性问题与ＳｉＮｘ－半导体界面的电荷存储效应有密切关系。
- 半导体界面;
8.HIC电连接失效分析专家系统
- 张德胜
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文给出一个电连接失效分析专家系统。
- HIC电连接;
9.PMOSFET的低能瞬态X-ray及强电子束电离辐照效应
- 范隆
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：对电离辐照敏感的厚氧化层ｐＭＯＳＦＥＴ进行了瞬态Ｘ－ｒａｙ和低能强流电子束辐照实验，通过对阈电压漂移的跟踪监测，研究了ｐＭＯＳＦＥＴｓ的瞬态电离辐照效应，运用辐射感生氧化物、界面缺陷模型并结合ＭＯＳ器件寄生二极管等效电路模型解释了实验结果。
- 金属氧化物半导体;
10.国产IC贮存可靠性实验与预计
- 罗淑云
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
- 集成电路;
11.微电子器件可靠性的噪声评价方法
- 庄奕琪
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：随着微电子器件朝着高性能、小尺寸和长寿命方向发展，传统的寿命试验可靠性评价方法的局限性日益显著。
- 微电子器件;
12.乳胶管贮存老化失效机理的探讨
- 罗强
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：乳胶管是烯烃类高分子材料，高分子材料没有不老化的。
- 失效机理;
13.CMOS运算放大器的电子和<'60>Coγ辐照效应和退火特性
- 陆妩
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文主要研究了ＬＦ７６５０ＣＭＯＳ运算放大器电路在１ＭｅＶ电子和〈’６０〉ＣｏΥ两种不同辐射环境中的响应特性及变化规律，并通过对其电离辐照敏感参数辐照后在室温和１００℃高温条件下随时间的变化关系的分析，探讨了引起电参数失效的机理。
- 运算放大器电路;
14.航天用电连接器在热应力作用下的失效模式及机理的研究
- 李平真
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：以在航天领域有广泛用途的Ｙ１１Ｘ圆形低频电连接器为研究对象，得出影响航天电连接器接触寿命的主要影响因素；同时依据航天电连接器的结构和接触件的表面膜生长规律，找出引起接触失效的主要因素。
- 电连接器;
15.小型照明按钮开关失效分析
- 蔡懿
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文通过对小型照明按钮开关的失效分析，介绍了根据开关失效特点所选择的分析方法。
- 照明开关;
16.定高引信综合环境试验及故障分析
- 金莲根
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文介绍了定高引信研制中，通过综合环境试验考核，按照“试验－改进－再试验”模式，实现了可靠性增长。
- 定高引信;
17.恒定应力--步进应力组合加速寿命试验方法研究
- 王锡清
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文以固体钽电解电容器可靠性快速评价为例，介绍了一种新的电子元件加速寿命试验方法：“恒定应力－－步进应力组合加速寿命试验方法”。
- 电解电容器;
18.栅氧化层击穿特性的实验分析和机理研究
- 恩云飞
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文用斜坡电压法研究了栅氧化层的击穿特性，通过对Ｉ－Ｖ特性曲线与ＦＮ理论曲线的对比以及对击穿电荷的研究，认为在用斜坡电压法研究栅氧化层可靠性时，Ｉ－Ｖ曲线偏离理论曲线的多少、击穿电荷的大小反映出栅氧化层中缺陷的多少以及对栅氧化层可靠性的影响程度。
- 栅氧化层;
19.用红外扫描法测量功率晶体管热阻
- 崔恩录
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
- 微波功率晶体管;
20.混合集成电路几种典型失效与改进措施
- 龚幼英
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：国产混合集成电路经过几年的现场使用，发生五种典型失效，且失效比较大，如半导体芯片体内缺陷、独石电容在再流焊后容量变化、金铝键合点键合强度退化、大功率大腔体电路基板裂纹、使用不当等。
- 混合集成电路;
21.用电阻比RR来监测金属互连线的抗电迁移性能
- 何江红
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文测定了由十二种不同成膜工艺所制备的金属薄膜（Ａｌ膜及Ａｌ－１％Ｓｉ膜）在不同温度（Ｔ）下的薄层电阻（Ｒｓ）值（Ｔ的范围：２９３Ｋ→１５Ｋ）及其电迁移中位寿命ＭＴＴＦ，并对成膜工艺进行了评价。
- 金属互连线;
22.集成电路静电防护对策和失效分析
- 唐云
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文主要叙述了集成电路设计、制造和应用过程中静电防护措施，以及静电导致失效的集成电路失效分析方法。
- 集成电路;
23.国外MCM可靠性研究的发展现状
- 陈亿
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文综述了国外在多芯片组件（ＭＣＭ）可靠性研究领域的发展思路和在可靠性设计、失效分析及评价试验方面的一些发展动态。
- 多芯片组件;
24.电子元器件失效分析实例
- 郑廷圭
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
- 电子元器件;
25.某机载设备用集成运放失效模式和机理分析
- 徐爱斌
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文介绍了某机载电子设备用Ｆ００７通用型运算放大器失效样品的分析过程与方法，提出了有关的失效模式及其机理，指出了解决问题的途径。
- 集成运算放大器;
26.扩散硅压力传感器工艺过程的FMECA分析
- 王蕴辉
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
- 扩散硅压力传感器;
27.Al-Si-Cu/TiN/Ti/n+Si多层接触抗电迁移特性改善
- 史刚
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文研究了快速热退火（ＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌＡｎｎｅａｌｉｎｇ，ＲＴＡ）工艺对ｎ＋扩散区上Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕ／ＴｉＮ／Ｔｉ多层接触可靠性的影响。
- 半导体器件;
28.GaAs微波功率场效应晶体管加速寿命试验中电参数的变化情况及机理研究
- 刘庆祥
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文介绍了ＧａＡｓ微波功率场效应晶体管ＤＸ００１１器件加速寿命试验的各种应力条件，以及试验中电参数的变化情况。
- 寿命试验;
29.影响电子元器件非工程状态可靠性的主要因素分析
- 杨家铿
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文较详细地分析了影响电子元器件非工作状态可靠性的各主要因素，这些因素包括元器件内部因素和外部因素。
- 电子元器件;
30.机载电子设备可靠性增长与鉴定试验中元器件失效分析
- 郑廷圭
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
- 电子元器件;
31.运用光辐射显微镜进行失效定位
- 来萍
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文介绍了运用光辐射显微镜对半导体器件进行失效分析和缺陷定位的两个实例。
- 半导体器件;
32.集成运算放大器的使用可靠性
- 吴生虎
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
- 集成运算放大器;
33.运算放大器管壳内水汽露点的测定及失效分析
- 田耀亭
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
- 水汽露点测量;
34.用高频和准静态C-V技术研究含F栅介质的Fowler-Nordheim效应
- 张国强
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文建立了一套用于ＭＯＳ电容热载流子损伤研究的自动测试分析系统，用高频和准静态Ｃ－Ｖ技术，分析研究了栅质中Ｆ离子的引入所具有的抑制Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ高场应力损伤的特性，对Ｆ离子和高场应力作用机制进行了讨论。
- 金属氧化物半导体;
35.SPC中的IC工艺参数嵌套性模型
- 贾新章
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文在介绍ＩＣ工艺受控概念和统计过程控制（ＳＰＣ）基本原理的基础上，分析了ＳＰＣ工艺参数的嵌套性特点。
- 集成电路;
36.集成电路中Au丝球焊Au-Al键合失效分析及可靠性评估
- 胡会能
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文对某批次混合集成电路返修件Ａｕ丝球焊Ａｕ－Ａｌ键合失效进行了分析研究，通过扫描电镜微观观察和Ｘ射线能谱分析，在失效键合点及产物处发现Ａｌ、Ａｕ、Ｓｉ共存，且Ｓｉ含量很高。
- 失效分析;
37.电子束测试系统的IFA应用技术
- 焦慧芳
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文阐述了电子束测试系统的图像失效分析技术（ＩＦＡ）的起源与发展，详述了该方法的原理和优势，探讨了ＩＦＡ的实现方法，并将ＩＦＡ方法进行了实际应用，获得了有意义的结果。
- 图象失效分析;
38.栅介质膜损伤的恢复
- 王刚宁
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：电应力作用下，栅氧化层受到损伤，表现为栅氧化层内陷阱电荷密度及界面态密度的增加。
- 栅介质膜;
39.介质膜内电荷陷落过程中诸物理量的测量
- 王刚宁
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文提出了一种实验方法，用于测量电应力作用下栅介质膜的电荷陷落过程中的几个物理量，如陷阱电荷密度、电荷中心位置、注入介质膜的电子产生陷阱的几率及介质膜内原有陷阱密度等。
- 栅介质膜;
40.脉冲应力下栅介质膜的TDDB特性
- 汪静
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：根据陷阱电荷在电应力作用下增加及撤除应力后减少的规律，我们提出了解释直流应力下ＴＤＤＢ寿命差别的模型，并用自行研制的脉冲应力ＴＤＤＢ寿命测试系统，对样品在脉冲电压与直流电压下的ＴＤＤＢ寿命进行测量比较，发现随着脉冲频率的增加，栅氧化层ＴＤＤＢ寿命增加，实验结果与模型预期的结果相符合。
- 栅介质膜;
41.VLSI金属互连线监测方法的研究
- 何江红
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文测定了由十二种不同成膜工艺所制备的金属薄膜（Ａｌ膜及Ａｌ－ｌ％Ｓｉ膜）在不同温度（Ｔ）下的薄层电阻（Ｒｓ）值（Ｔ的范围：２９３Ｋ→１５Ｋ）及其电迁移中位寿命ＭＴＴＦ。
- 金属互连线;
42.半导体金属化布线电徙动温度特性研究
- 李志国
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：电徒动失效是ＶＬＳＩ金属化系统的主要失效形式。
- 电徙动失效;
43.微波天线开关管失效率现场数据验证的探讨
- 苏振华
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文扼要论述在雷达机中常用微波天线开关管的简要工作原理、类型、雷达机对器件性能的技术要求，以现场数据对失效率模型预计手册修订版前后的对比论证，得出手册修订的新版，预计效果达到工程整机要求的结论。
- 微波天线开关管;
44.54HC电路电离辐射损伤对剂量率的响应
- 郭旗
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文对国产加固５４ＨＣ０４高速ＣＭＯＳ电路进行了不同剂量率的辐照响应和室温退火特性研究。
- 金属氧化物半导体;
45.MOS结构辐照陷阱消长研究的快速I-V技术
- 张国强
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：建立了一套用于ＭＯＳ结构辐照陷阱消长规律研究的快速Ｉ－Ｖ在线测试系统，用此系统可进行自动加偏和Ｉｄｓ－Ｖｇｓ亚阈曲线测试，从而可快速定性定量地获得辐照和退火环境中氧化物电荷和Ｓｉ／ＳｉＯ〈，２〉界面态随辐照剂量、时间、偏置等的依赖关系。
- 金属氧化物半导体;
46.晶体管参数漂移的计算机仿真试验
- 张增照
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文研究了晶体管电流增益漂移的统计规律，获得了对其均值和方差的预测方法，利用Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ仿真对实际产品在寿命试验中的失效进行了预测，与实际试验进行对比，获得令人满意的结果。
- 晶体管;
47.电磁继电器绝缘电阻下降失效分析
- 韩露
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文对电磁继电器线包引出端与壳体之间绝缘电阻下降的原因进行了分析。
- 电磁继电器;
48.CRT管劲击穿分析
- 蒋宗礼
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：ＣＲＴ的生产和使用中，因高压打火而造成管颈击穿，主要有三种类型：纵向炸裂、径向击穿和横向炸裂。
- 彩色显像管;
49.片式陶瓷电容器高加速寿命试验(HALT)方法
- 袁学成
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文通过高加速寿命试验对片式陶瓷电容器工作寿命进行了评价，结果表明：产品失效包含早期失效和磨损失效两部分，产品失效服从对数正态分布，国产片式陶瓷电容器的电压加速系数指数按３是合适的。
- 片式陶瓷电容器;
50.不同偏置下的MOSFET的电离辐射响应与时间退火效应
- 余学峰
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文对比了加固ＭＯＳＦＥＴ在不同偏置条件下的总剂量辐照响应特性和退火特性，特别是对辐照偏置和退火偏置对器件电离辐射损伤的相互作用关系进行了试验研究和分析，取得了有价值的研究结果和结论。
- 电离辐射;
51.FMECA在航天飞行器研制中的应用与研究
- 朱北园
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文以某型号卫星为背景介绍目前ＦＭＥＣＡ技术在航天飞行器研制过程的应用情况及一些工程问题的解决方法，并提出有待进一步研究和讨论问题。
- 故障模式;
52.独石电容器在工艺应力作用下的失效模式、机理与改进措施
- 尹德建
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文对独石电容器的一种典型失效模式进行了扫描电子显微镜分析，用试验方法验证了电容器端头产生的裂纹与工艺应力的关系，并探讨了其中的机理，提出了改进措施。
- 独石电容器;
53.SM945 DC/DC转换器的失效机理分析与可靠性保证措施
- 王宏全
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
54.航天用晶体振荡器可靠性
- 雷祖圣
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：晶体振荡器是由晶体谐振器和相应振荡电路组成的器件。
- 晶体振荡器;
55.金属外壳可靠性评价方法探讨
- 张乐中
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文针对目前国产混合电路金属外壳存在的问题，提出了进行可靠性评价的几条措施。
- 金属外壳;
56.电真空器件与晶体管器件故障机理分析
- 吴贺谦
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文从理论和实践的结合上较详细地分析了电子器件的失效机理，为预防电子器件失效保证电子设备系统正常工作提供了依据。
- 电真空器件;
57.反射式扫描声学显微镜在电子元器件失效分析中的应用
- 古关华
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文介绍了扫描声学显微镜的基本原理；讨论了该仪器在电子元器件失效分析中的应用。
- 电子元器件;
58.半导体器件热特性新型测量方法及其设备的研究
- 冯士维
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文介绍了采用脉冲技术，能够测量、分析ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ冷响应曲线、温升、稳态热阻、瞬态热阻及热响应曲线的电学法测量方法及仪器。
- 半导体器件;
59.VLSI电路的可靠性设计
- 罗宏伟
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文提出了进行可靠性设计的一般步骤，同时对几个影响ＶＬＳＩ电路的失效机理进行了讨论，给出了通用的解决方法与途径。
- 可靠性设计;
60.提高分析质量,是提高电子元器件可靠性的重要措施
- 郑鹏洲
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：分析工作是提高电子元器件可靠性的重要手段，这点已逐步被人们所认识，但对提高分析本身的质量的必要性和如何提高分析质量却未见有文章论及。
- 电子元器件;
61.某集成稳压电源使用烧段问题的研究
- 田耀亭
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
- 集成稳压电源;
62.混合集成电路热性能分析的红外热像技术
- 何小琦
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文介绍了红外热像检测技术的基本原理及方法，并结合混合集成电路的特点分析了热像法的应用范围，给出了混合集成电路失效分析及热性能分析的两个应用实例。
- 混合集成电路;
63.SM945DC/DC转换器的失效机理分析与可靠性保证措施
- 王宏全
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
- 模块电路转换器;
64.硅微波器件EB结退化特性的研究
- 郭伟玲
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文研究了不同金属化系统对硅高频大功率管发射结的影响。
- 金金属化;
65.场发射器可靠性研究现状
- 范忠
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文对近年来场发现阵列领域中进行的可靠性研究、获得的失效机制认识和达到的水平作了一个评论。
- 场发射阵列;
66.IDDQ测试技术及其实现方法
- 谭超元
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：ＩＩＤＱ（即静态电源电流）测试是近几年来国外比较流行的ＣＭＯＳ集成电路测试技术。
- 静态电源电流;
67.一种预计栅氧可靠性的方法
- 史保华
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：该文利用威布尔分布和串联模型、结合电场和温度加速因子的概念来处理ＭＯＳ电容样品的加速寿命试验数据，取得较好的效果。
- 栅氧化层;
68.GaAs MMIC抗静电能力研究
- 叶禹康;孙伟东
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：用人体静电放电模拟器对以ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ为主要有源器件的ＭＭＩＣ的静电敏感度进行了研究，叙述了在ＭＭＩＣ设计、工艺制作等环节防静电和提高ＭＭＩＣ抗静电能力的措施，采用这些措施后，低噪声ＭＭＩＣ静电损伤阈值电压达到５００－８００伏。
- 砷化镓场效应晶体管;
- 静电敏感度;
69.ESD试验后GaAs MESFET电参数的变化与失效分析
- 王爱坤;段淑兰
- 《第七届全国可靠性物理学术讨论会》 | 1997年
摘要：通过ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的ＥＳＤ试验前后直流参数、微波参数的变化情况，提出了失效模式，分析了失效机理，叙述了静电防护措施。