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电子系统X射线剂量增强效应研究

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本文以主要由N80C196KC20、PSD50181和X24F128构成的系统作为研究对象，通过X射线和γ两种不同射线的辐照对比，对单片机系统电路和单元电路的剂量增强效应进行了研究。在器件剂量增强表征公式的基础上，研究了系统剂量增强的表征方法，并将相对剂量增强系数的计算公式推广到了系统电路。研究表明：动态偏置辐照状态下，单片机系统电路及单元电路存在x射线剂量增强效应；提出了绝对失效判据的概念，并采用绝对失效判据研究了系统电路的剂量增强效应，得到了系统电路的相对剂量增强系数，采用绝对失效判据是合适的；在武器电子学系统应用中，当辐照总剂量较低时，系统及单元电路的剂量增强效应不显著，可以不予考虑。

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来源
《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》|2011年|67-70|共4页
会议地点三亚
作者
褚忠强; 徐曦; 牟维兵; 詹峻岭; 赵刚;
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作者单位

中国电子学会;

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体集成电路（固体电路）;
关键词
电子器件; 单片机系统; X射线; 剂量增强效应;

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