Kovar封装CMOS器件X射线剂量增强效应研究

罗尹虹; 龚建成; 何宝平; 郭红霞

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Kovar封装CMOS器件X射线剂量增强效应研究

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在器件的金属化层及封装等结构中,高原子序数材料在低能X射线的辐照下,会在相邻的低原子序数材料中产生剂量增强效应,从而使得器件性能严重退化.主要介绍了柯伐封装的CMOS器件,在X射线和γ射线辐照下,其辐照敏感参数阈值电压和漏电流随总剂量的变化关系.并对实验结果进行了比较,得出低能X射线辐照对器件损伤程度大于γ射线,对剂量增强效应进行了有益的探讨.

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来源
《核电子学与探测技术》 |2005年第6期|846-848,845|共4页
作者
罗尹虹; 龚建成; 何宝平; 郭红霞;
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作者单位

西北核技术研究所,陕西,西安,710024;

西北核技术研究所,陕西,西安,710024;

西北核技术研究所,陕西,西安,710024;

西北核技术研究所,陕西,西安,710024;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
X射线; 总剂量; 剂量增强;

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