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射频磁控溅射ZnO压电薄膜及其结构改善工艺研究

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摘要

采用RF射频磁控溅射技术和ZnO-Li0.022陶瓷靶在Si (100)基片上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,XRD分析表明Li+离子掺杂改善了ZnO靶材的结构和性能,同时研究了不同RF溅射温度、氧分压对ZnO薄膜结构与择优取向的影响；通过对不同溅射工艺参数的进一步分析比较,确定了RF溅射最佳条件:基片温度Ts小于300℃,氩氧气氛体积比为Ar∶O2=20∶5,由此制得了高度c轴(002)择优取向、致密、均匀,满足声表面波器件(SAW)应用要求的ZnO压电薄膜.

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来源
《2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会》|2011年|344-350|共7页
会议地点昆明
作者
Chen Zhu; 陈祝; Nie Hai; 聂海; Wu Lijuan; 吴丽娟;
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作者单位

中国半导体行业协会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.21:TN304.055;
关键词
半导体材料; 氧化锌压电薄膜; 射频磁控溅射; 结构分析; 择优取向;

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