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Cu(In，Ga)Se2太阳能电池快速热退火效应

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本文利用光致发光(PL)分析快速热退火对Cu(In，Ga)Se2(CIGS)电池的影响，研究退火对薄膜缺陷的影响。Cu(In，Ga)Se2电池的PL谱中总共有7个峰，即2个可见波段峰和5个红外波段峰。退火温度较低，可减少薄膜体内缺陷，提高载流子浓度，改善薄膜质量;退火温度过高，则会引起正常格点处元素扩散，元素化学计量比改变，体内缺陷增加，吸收层带隙降低，反而会对CIGS薄膜造成破坏。

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来源
《2011年第三届全国光学青年学术会议》|2011年|1629-1632|共4页
会议地点成都
作者
杨洁; 陈东生; 郑玲玲; 杜汇伟; 周平华; 石建伟; 徐飞; 马忠权;
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作者单位

中国光学学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TM914.4:TM910.1;
关键词
太阳能电池; 退火处理; 光致发光; 薄膜缺陷;

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