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硅衬底GaN基单量子阱绿光LED量子效率的研究

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利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在Si(111)衬底上生长了InGaN/GaN单量子阱(SQW)绿光材料，并制备成n面向上(Pt基反射镜、无表面粗化)的垂直结构发光二极管(LED)，研究了主波长(WLD)分别为516nm、520nm、524nm、526nm的绿光SQWLED外量子效率(EQE)的变化及半峰宽(FWHM)、波长漂移等特性。LED芯片的有效面积为160μ m×160μm。结果表明，峰值EQE随波长变长呈减小的趋势，FWHM及波长漂移随波长变长呈增加的趋势。516nm LED的EQE峰值为10．1%，对应的电流密度(Jmax)为5．20(A×cm2)，当注入电流密度为104(A×cm2)，即工作电流20mA时，光功率为2．96mW，FWHM为31．8nm，工作电压(V1)为2．96V，电光转换效率(WPE)为5．00%。若采用具有Ag基反射镜和表面租化的芯片结构，工作电流20mA时516nmLED的EQE可以提高45%左右。

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来源
《2011全国光电子与量子电子学技术大会》|2011年|142-145|共4页
会议地点北京
作者
王光绪; 熊传兵; 刘彦松; 程海英; 刘军林; 江风益;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN312.8;
关键词
绿光LED; 硅衬底GaN; 单量子阱; 量子效率; 发光机理;

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