Laboralorio de Sistemas Integraveis, Departamento de Sistemas Eletronicos (PSI), Av. Prof. Luciano Gualberto, trav. 3,158, CEP 05508-900 Sao Paulo, SP, Brazil;
机译:PECVD RF与双频:等离子体对金属有机前体分解和材料特性的影响的研究
机译:膜结构和组成对PECVD沉积SiOx薄膜扩散势垒性能的影响
机译:射频PECVD施加射频功率对低温无催化纳米结构氮化碳膜的影响
机译:底物偏压对聚丙烯硅有机PECVD膜粘附的影响
机译:有机半导体薄膜界面的振动总和频率产生光谱。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:通过PECVD对激发频率对氮化铝薄膜生长的影响(10(-1)0)