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首页> 外文会议>2000 2~nd International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology September 14-16, 2000, Beijing, China >Microwave Performance of SOI Lateral Dual Carrier Field Effect Transistors and Integrated Circuits (SOI LDCFET and SOI DCFEIC)
【24h】

Microwave Performance of SOI Lateral Dual Carrier Field Effect Transistors and Integrated Circuits (SOI LDCFET and SOI DCFEIC)

机译：SOI横向双载流子场效应晶体管和集成电路（SOI LDCFET和SOI DCFEIC）的微波性能

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We have discovered and studied a new mode of operation of transitors and integrated circuits. We reported in 1998 part of our theoretical and experimental results concerning this new mode of operation. In this paper we shall present the device physcis theory and some of the d.c. measurement results of one type of structure for our new mode of operation. We shall show that, with mature SOI technology, the cut off frequency of OI LDCFET is predicted to be 6000 Ghz with an effective channel length of 0.0368mu.
机译：我们已经发现并研究了传输器和集成电路的一种新的操作模式。我们在1998年报告了有关这种新操作模式的部分理论和实验结果。在本文中，我们将介绍设备物理理论和一些直流电。我们的新操作模式的一种结构的测量结果。我们将证明，采用成熟的SOI技术，OI LDCFET的截止频率预计为6000 Ghz，有效沟道长度为0.0368mu。

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