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首页> 外文会议>2010 18th Iranian Conference on Electrical Engineering >Low frequency interdigital capacitive sensor using deep reactive ion etching and bulk micromachining of silicon
【24h】

Low frequency interdigital capacitive sensor using deep reactive ion etching and bulk micromachining of silicon

机译：使用深度反应离子刻蚀和硅体微加工的低频叉指式电容传感器

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A novel fabrication procedure for implementation of suspended, interdigital capacitive sensor on silicon-based membranes is reported. The process employs a combination of anisotropic back-side micromachining with front-side vertical deep reactive ion etching of silicon. The formation of cavities underneath the interdigital structure beside the evolution of nano-grass on the back side of the sample, allows inclusion of liquid to add to the effective mass of the device and to realize a low frequency sensing device suitable for earthquake prediction. The etching of vertical pieces is feasible using a hydrogen-assisted reactive ion etching. Also the evolution of grass on the back and front sides of the sample can be controlled by etching parameters.
机译：报告了一种新颖的制造程序，用于在硅基膜上实现悬挂式叉指电容传感器。该工艺采用了各向异性背面微机械加工与硅的正面垂直深反应离子刻蚀相结合的方法。除了在样品背面形成纳米草之外，在叉指结构下方还形成了空腔，从而允许包含液体，从而增加了装置的有效质量，并实现了适用于地震预测的低频传感装置。使用氢辅助的反应性离子蚀刻，垂直件的蚀刻是可行的。同样，可以通过蚀刻参数来控制样品背面和正面的草的生长。

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