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首页> 外文会议>2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings >Determination of recombination centres in c-Si solar cells from dark I-V characteristics
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Determination of recombination centres in c-Si solar cells from dark I-V characteristics

机译：从黑暗的I-V特性确定c-Si太阳能电池中的重组中心

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The grade of a solar cell depends mainly on the quality of the starting material. During the production of this material, many impurities are left in the bulk material and form defects, which act as generation-recombination centres or charge carrier traps. These defects influence the efficiency of solar cells. Therefore knowledge of the centre parameters, e.g., energy levels in the band gap, capture cross section and concentration, is very useful for solar cell engineering. In this paper emphasis is placed on a simple and fast method for obtaining these parameters using measurements of dark characteristics. Preliminary results are introduced, together with the difficulties and limits of this method.
机译：太阳能电池的等级主要取决于原材料的质量。在这种材料的生产过程中，大量杂质留在散装材料中并形成缺陷，这些缺陷充当了生成复合中心或电荷载流子陷阱。这些缺陷影响太阳能电池的效率。因此，了解中心参数，例如带隙中的能级，捕获截面和浓度，对于太阳能电池工程非常有用。在本文中，重点放在使用暗特性测量来获得这些参数的简单快速方法上。介绍了初步结果，以及该方法的困难和局限性。

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