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首页> 外文会议>2013 IEEE 5th International Nanoelectronics Conference. >Fabrication and characterization of uni-traveling-carrier photodetectors (UTC-PDs) with dipole-doped structure at InGaAs/InP interface
【24h】

Fabrication and characterization of uni-traveling-carrier photodetectors (UTC-PDs) with dipole-doped structure at InGaAs/InP interface

机译：InGaAs / InP界面上具有偶极掺杂结构的单行进载流光电探测器（UTC-PD）的制造和表征

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This paper describes the fabrication and high speed characterization for uni-traveling-carrier photodetectors (UTC-PD) with dipole-doping layers. The dipole-doping InGaAs/InP layer has been introduced at the InGaAs (absorption layer) and InP (collection layer) interface to prevent current blocking in our UTC-PD devices. These UTC-PDs have achieved high photocurrent of 52 mA, high responsivity of 0.44 A/W as well as high 3dB bandwidth of ∼17.5 GHz. Furthermore, a UTC-PD equivalent circuit model is used to simulate and interpret device results of our UTC-PDs.
机译：本文介绍了具有偶极子掺杂层的单行进载流光电探测器（UTC-PD）的制造和高速特性。在InGaAs（吸收层）和InP（收集层）界面处引入了偶极掺杂InGaAs / InP层，以防止UTC-PD器件中的电流阻塞。这些UTC-PD实现了52 mA的高光电流，0.44 A / W的高响应度以及〜17.5 GHz的3dB高带宽。此外，使用UTC-PD等效电路模型来模拟和解释我们的UTC-PD的设备结果。

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