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首页> 外文会议>2013 IEEE 5th International Nanoelectronics Conference. >On pairing bipolar RRAM memory element with novel punch-through diode based selector: Compact modeling to array performance
【24h】

On pairing bipolar RRAM memory element with novel punch-through diode based selector: Compact modeling to array performance

机译：将双极RRAM存储元件与基于新型穿通二极管的选择器配对时：紧凑的建模可提高阵列性能

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To reduce sneak currents in high density non-volatile Bipolar RRAM technology the bipolar selector diode with high on-current density and larger on-off current ratio is required. Recently, we have experimentally demonstrated an n+/p+ stack based epitaxial Si punch-through diode for selector application with excellent TCAD matching. This selector technology provides flexibility in on-voltage (Von), on-current (Ion) and on-off current ratio. Here we present a performance evaluation of bipolar RRAM array using NPN selector. First we develop a compact circuit model of the novel punch-through diode. Second we develop a methodology of pairing a specific NPN selector with a bipolar RRAM memory based on cross-point requirements. SPICE implementation based array performance analysis shows an optimal cross-point on-off current ratio (e.g. 3×104 for 1M array) for minimum array power.
机译：为了降低高密度非易失性双极RRAM技术中的潜电流，需要具有高导通电流密度和更大的通断电流比的双极选择器二极管。最近，我们通过实验证明了基于n + / p / n +堆栈的外延Si穿通二极管，具有出色的TCAD匹配性能，适用于选择器应用。该选择器技术提供了通态电压（V on ），通态电流（I on ）和通断电流比的灵活性。在这里，我们介绍使用NPN选择器的双极RRAM阵列的性能评估。首先，我们开发新型穿通二极管的紧凑电路模型。其次，我们开发了一种基于交叉点要求将特定NPN选择器与双极RRAM存储器配对的方法。基于SPICE实现的阵列性能分析显示了最佳的交叉点开关电流比（例如，对于1M阵列，为3×10 4 ），可实现最小阵列功率。

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