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A new bipolar RRAM selector based on antiparallel connected diodes for crossbar applications

机译：基于反并联连接二极管的新型双极RRAM选择器，用于交叉开关应用

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Crossbar arrays are the most promising application of a resistive random access memory (RRAM) device for achieving high density memory. However, cross-talk interference in the crossbar array limits the increase in the integration density. In this paper, the combination of two anti-parallel connected diodes and a bipolar RRAM cell is proposed to suppress the sneak current in a crossbar array with anti-parallel connected diodes as the selector for the bipolar RRAM. By using the anti-parallel connected diodes as a selector, the sneak current can be effectively suppressed and the high density crossbar array of more than 1Mb can be realized as estimated by the 1/2V_(read) voltage scheme. These results indicate that anti-parallel connected diodes can be used as a bipolar selector and have great potential for high density bipolar RRAM crossbar array applications.
机译：交叉开关阵列是电阻式随机存取存储器（RRAM）器件用于实现高密度存储器的最有希望的应用。然而，交叉开关阵列中的串扰干扰限制了集成密度的增加。在本文中，提出了两个反并联二极管和一个双极RRAM单元的组合，以抑制交叉开关阵列中的潜电流，其中反并联二极管作为双极RRAM的选择器。通过使用反并联连接的二极管作为选择器，可以有效抑制潜电流，并且可以通过1 / 2V_（读取）电压方案估计实现大于1Mb的高密度交叉开关阵列。这些结果表明，反并联连接的二极管可用作双极选择器，并在高密度双极RRAM交叉开关阵列应用中具有巨大潜力。

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