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首页> 外文会议>2013 International Conference on QiR >Observation of nanosize effect in lateral nanoscale p-n and p-i-n junctions
【24h】

Observation of nanosize effect in lateral nanoscale p-n and p-i-n junctions

机译：在横向纳米级p-n和p-i-n结中观察纳米尺寸效应

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We study nanosize-effect in lateral nanoscale p-n and p-i-n junction devices under light illumination. Current versus voltage (I-V) and current versus time (I-time) characteristics were investigated at low and at room temperature. At low temperature, only p-n junction devices show a photon sensitivity in I-V characteristics due to co-existence of donor-acceptor pair. At room temperature, both devices show photovoltaic nature, i.e., increase of reverse current is observed under light illumination. In addition, devices with narrow channel-width tend to produce larger photocurrent which is ascribed to the nanosize effect.
机译：我们研究在光照下横向纳米级p-n和p-i-n结器件中的纳米尺寸效应。在低温和室温下研究了电流对电压（I-V）和电流对时间（I-time）特性。在低温下，由于施主-受主对的共存，只有p-n结器件在I-V特性中显示出光子敏感性。在室温下，两个器件都显示出光伏性质，即在光照下观察到反向电流增加。另外，具有窄沟道宽度的器件倾向于产生较大的光电流，这归因于纳米尺寸效应。

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